LFE2M70E-7FN900C-6I是Lattice Semiconductor(莱迪思半导体)推出的一款高性能、低功耗的FPGA(现场可编程门阵列)芯片,属于LatticeECP2M系列。该芯片专为高密度、低功耗和高可靠性应用设计,适用于通信、工业控制、视频处理和嵌入式系统等领域。LFE2M70E-7FN900C-6I采用先进的CMOS工艺制造,具备丰富的逻辑资源、嵌入式块存储器(EBR)、高性能I/O接口以及PLL时钟管理单元,能够满足复杂系统设计的需求。该芯片采用900引脚的FBGA封装,适用于紧凑型设计和高性能要求的应用场景。
型号:LFE2M70E-7FN900C-6I
厂商:Lattice Semiconductor
系列:LatticeECP2M
逻辑单元数量:约70,000 LUTs
嵌入式存储器:约2.2 Mbits
最大用户I/O数量:568
封装类型:900-ball Fine-Pitch Ball Grid Array (FBGA)
温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
电压范围:核心电压2.5V/3.3V兼容
时钟管理:内置PLL(锁相环)
安全性:支持加密比特流配置
可编程I/O标准:支持多种标准,包括LVDS、PCI、SSTL等
最大系统频率:可达300 MHz以上
LFE2M70E-7FN900C-6I具备强大的逻辑资源和灵活的I/O配置能力,支持多种I/O标准,包括LVDS、PCI、SSTL等,适用于不同应用场景的接口需求。其嵌入式块存储器(EBR)可用于实现高性能的FIFO、RAM和ROM结构,支持高速数据缓存和处理。
该芯片还内置了多个PLL(锁相环),可提供精确的时钟管理功能,包括频率合成、时钟去抖和相位调整,有助于提高系统的稳定性和性能。此外,LFE2M70E-7FN900C-6I支持多种配置模式,包括主动串行、被动并行和JTAG模式,便于在不同开发和生产环境中使用。
芯片支持加密比特流配置,增强了设计的安全性,防止未经授权的复制和篡改。同时,该器件具有低功耗特性,适用于电池供电或对功耗敏感的应用场景。
此外,LFE2M70E-7FN900C-6I的封装为900-ball FBGA,适用于高密度PCB布局,并提供良好的散热性能,确保在工业级温度范围内稳定运行。
LFE2M70E-7FN900C-6I广泛应用于通信设备、工业自动化、视频处理、嵌入式控制系统、测试测量设备、网络设备等领域。由于其高逻辑密度、丰富的I/O功能和低功耗特性,该芯片特别适用于需要高性能可编程逻辑和灵活接口配置的复杂系统设计。
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