容量：8K x 8位
　　工作电压：2.7V - 5.5V
　　访问时间：55ns / 70ns / 100ns（根据型号后缀不同）
　　封装类型：28引脚DIP
　　输入/输出电平：兼容TTL和CMOS
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　功耗：典型值10mA（待机模式下10μA）

MB87L1231 采用先进的CMOS工艺制造，具有极低的静态功耗，非常适合电池供电和低功耗应用。该芯片支持宽电压范围（2.7V至5.5V），提高了在不同电源环境下的适应性。此外，MB87L1231具有高速存取能力，访问时间低至55ns，确保了在高性能嵌入式系统中的稳定运行。
　　该SRAM芯片还具备自动掉电功能，在未进行读写操作时自动进入低功耗待机模式，从而进一步降低功耗。其封装形式为标准的28引脚DIP，方便用户在原型设计或批量生产中使用。
　　MB87L1231具有高可靠性，符合工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），适用于工业控制、通信设备、智能仪表以及其他对稳定性和可靠性要求较高的应用场合。

MB87L1231 主要应用于需要高速存储器的嵌入式系统，如工业控制器、数据采集设备、智能传感器、通信模块、测量仪器以及需要低功耗SRAM的便携式设备。其宽电压支持和低功耗特性也使其适用于远程监控系统和电池供电设备。

MB87L1231 可以被以下型号替代：AS6C62256（Alliance Semiconductor）、CY62148（Cypress Semiconductor）、IS62LV256（ISSI）等。这些替代型号在容量、封装和性能方面与MB87L1231相似，适用于相同的应用场景。