CGH27060 时间：2025/9/11 6:40:11 阅读：50

CGH27060 是由 Wolfspeed（前身为 Cree）生产的一款高性能氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），广泛用于射频（RF）功率放大器应用。该器件基于GaN-on-SiC（碳化硅上氮化镓）技术，具备高功率密度、高效率和高可靠性，适用于通信基础设施、雷达、测试设备和工业应用中的高频功率放大。

参数

类型：GaN HEMT射频功率晶体管
　　封装类型：气密封陶瓷封装（通常为TO-220或类似）
　　工作频率：适合在1 GHz以下的高频应用
　　漏极电压（VDS）：60 V
　　连续漏极电流（ID）：典型值为3 A
　　输出功率：在2.7 GHz下可达60 W（典型值）
　　增益：约18 dB（典型值）
　　效率：超过70%（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +200°C

特性

CGH27060 采用先进的GaN-on-SiC技术，使其具备优异的热管理和高频性能。该器件具有高击穿电压（60V），能够在高功率条件下稳定运行。其高功率密度和高效率特性使得它在射频功率放大器设计中表现出色，特别适合需要高线性度和高能效的应用场景。
　　此外，CGH27060具备良好的热稳定性，得益于其基于SiC的衬底材料，具有优异的导热性能，从而降低了热管理的复杂性和成本。该器件还具有高耐用性和长寿命，适用于高可靠性系统，如军用雷达和基站放大器。
　　其封装设计支持高功率操作，并提供良好的射频连接性能。CGH27060通常用于宽带和窄带射频放大器设计，能够在多种频率下保持稳定的输出性能。

应用

CGH27060 主要应用于射频功率放大器的设计，涵盖无线通信基础设施（如4G/5G基站）、广播系统、雷达系统、工业加热设备以及测试和测量仪器。其高功率密度和高效能使其成为高要求射频系统中的理想选择，尤其是在需要高可靠性和高热稳定性的环境中。
　　在通信领域，该器件常用于基站中的功率放大模块，支持高数据速率和长距离传输。在雷达和国防应用中，它被用于高功率发射器，以实现远距离探测和高精度目标识别。此外，在工业和科学设备中，CGH27060也用于射频能量应用，如等离子体生成和材料处理。