JSMD4184是一款高性能的MOSFET功率器件,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点。其封装形式通常为TO-220或DPAK,适合高功率密度设计需求。
JSMD4184属于N沟道增强型MOSFET,适用于多种工业及消费类电子产品的功率转换和控制场景。由于其优异的电气性能,能够有效降低系统功耗并提升整体效率。
最大漏源电压:450V
连续漏极电流:18A
导通电阻(典型值):0.07Ω
栅极电荷:45nC
输入电容:1500pF
开关时间(开启/关闭):80ns/40ns
工作温度范围:-55℃至+150℃
1. 低导通电阻有助于减少功率损耗,提高效率。
2. 快速开关速度使得该器件非常适合高频应用。
3. 高击穿电压保证了在高压环境下的稳定运行。
4. 封装具备良好的散热性能,适合高功率应用场景。
5. 栅极阈值电压经过优化,便于与常见的驱动电路兼容。
6. 工作温度范围宽广,适应恶劣的工作条件。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心功率元件。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 各种负载切换和保护电路。
5. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
6. 其他需要高效功率控制的工业设备和家用电器。
IRFZ44N
STP18NF50
FDP18N50