类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极-源极电压（Vds）：150V
　　最大漏极电流（Id）：12A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.075Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V
　　最大功耗（Pd）：80W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：DPAK（TO-252）

MA152WALT1G的主要特性包括其低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。该MOSFET具有良好的热管理能力，能够在高温环境下稳定运行，同时其DPAK封装设计允许高效的热量散发。此外，MA152WALT1G具有较高的雪崩能量承受能力，使其在高应力环境下仍能保持可靠运行。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持与多种控制器和驱动器的兼容性。其沟槽式结构不仅提高了电流密度，还减少了开关损耗，使得该MOSFET适用于高频开关应用。
　　该MOSFET还具备较低的输入电容和输出电容，这有助于减少高频应用中的开关损耗，同时提高响应速度。其反向传输电容（Crss）也较小，从而降低了米勒效应的影响，确保在高dv/dt条件下的稳定运行。MA152WALT1G的封装设计符合RoHS标准，适用于自动化表面贴装工艺，并具有良好的机械强度和耐久性。
　　由于其高耐压和大电流能力，MA152WALT1G在DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动和负载开关等应用中表现出色。该器件还具有良好的短路耐受能力，能够在极端工作条件下提供额外的安全裕度。

MA152WALT1G广泛应用于各类电源管理系统，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、电池管理系统（BMS）、电机控制模块以及工业自动化设备中的功率开关。它还适用于高侧和低侧开关应用，如电源分配系统、负载开关和热插拔控制电路。此外，该MOSFET也可用于音频功率放大器、LED驱动器和消费类电子设备中的高效电源管理解决方案。

FQP12N15C, IRF1504, SiHF12N15C, NTD12N15CLT4G