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W25Q80JVSSIQ TR 发布时间 时间:2025/8/20 23:27:29 查看 阅读:5

W25Q80JVSSIQ TR 是 Winbond 公司推出的一款高性能、低功耗的串行闪存芯片,属于其 W25Q 系列产品之一。该芯片采用标准的 SPI(Serial Peripheral Interface)接口,具有 80Mbit 的存储容量,适用于需要中等容量非易失性存储器的嵌入式系统和便携式设备。W25Q80JVSSIQ TR 采用 8 引脚的 SOIC 封装,适合工业级应用,并具有出色的可靠性和稳定性。该器件支持多种工作模式,包括标准 SPI、双路输出 SPI 和四路输出 SPI,以提高数据传输速率和系统性能。

参数

容量:80Mbit
  接口类型:SPI
  工作电压:2.3V - 3.6V
  封装类型:8-SOIC
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  最大时钟频率:80MHz
  编程/擦除周期:100,000 次
  数据保存时间:20 年
  封装尺寸:150mil

特性

W25Q80JVSSIQ TR 是一款专为高性能和低功耗设计的串行闪存芯片。其核心特性之一是支持多种 SPI 模式,包括标准模式、双路输出模式和四路输出模式,这使得它能够适应不同的应用需求并提高数据传输效率。此外,该芯片支持高速时钟频率(最高可达 80MHz),使其在数据读写方面表现出色。W25Q80JVSSIQ TR 的工作电压范围为 2.3V 至 3.6V,使其适用于多种电源环境,同时具备低功耗特性,适合电池供电设备使用。该芯片还支持高达 100,000 次的编程/擦除周期,数据保存时间可达 20 年,确保了长期使用的可靠性。其 8-SOIC 封装形式提供了良好的散热性能和机械稳定性,适合工业级应用。W25Q80JVSSIQ TR 还内置多种安全功能,包括硬件写保护和软件写保护,可防止意外数据修改或丢失。

应用

W25Q80JVSSIQ TR 广泛应用于需要中等容量非易失性存储器的各种嵌入式系统和便携式设备中。常见的应用包括代码存储、数据记录、固件更新以及图形和音频存储。该芯片特别适用于需要快速启动和高效数据传输的系统,如智能卡终端、工业控制器、医疗设备、通信模块和消费类电子产品。由于其低功耗特性和宽电压工作范围,W25Q80JVSSIQ TR 也非常适合用于电池供电设备,如手持仪器、无线传感器和物联网设备。在汽车电子领域,该芯片可用于存储导航数据、车辆诊断信息和其他关键参数。

替代型号

W25Q80JVSSIQ, W25Q80JVZXPI, W25Q80JVZAPI

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W25Q80JVSSIQ TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列SpiFlash?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量8Mb
  • 存储器组织1M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页3ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC