电容值：220 pF
　　额定电压：50 V
　　电介质材料：X7R
　　容差：±20%
　　封装尺寸：1210（3.2 mm x 2.5 mm）
　　温度范围：-55°C 至 +125°C
　　最大工作温度：+125°C
　　尺寸：3.2 x 2.5 x 2.5 mm
　　重量：约 0.025 g

EKMM3B1VSN221MN50S 电容器采用了先进的多层陶瓷制造技术，具备优异的电气性能和稳定性。其 X7R 电介质材料在 -55°C 至 +125°C 的宽温度范围内保持稳定的电容值，温度系数为 ±15%。此外，该电容器的容差为 ±20%，适合对电容精度有一定要求但不需要极高精度的应用。由于其封装尺寸为 1210（3.2 mm x 2.5 mm），该电容器在 PCB 上占据的空间相对较小，同时仍能提供较高的电容值和电压耐受能力。
　　该器件的高可靠性使其适用于需要长期稳定运行的工业设备、通信设备以及消费类电子产品。其优异的频率响应特性也使其在 RF（射频）电路和电源管理电路中表现良好。此外，该电容器具有良好的焊接性能，支持回流焊工艺，适合大规模自动化生产。EKMM3B1VSN221MN50S 还具备低 ESR（等效串联电阻）和低 ESL（等效串联电感）特性，有助于减少电路中的高频噪声和功率损耗。

EKMM3B1VSN221MN50S 陶瓷电容器广泛应用于多个领域，包括但不限于：工业自动化设备、通信基站、电源管理系统、DC-DC 转换器、滤波电路、射频（RF）模块、测试与测量仪器以及消费类电子产品（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）。在电源管理电路中，该电容器可用于输入/输出滤波，以提高电源的稳定性和降低纹波噪声。在射频系统中，它可作为耦合电容或旁路电容，确保高频信号的完整性。此外，在 DC-DC 转换器中，该电容器能够有效吸收高频噪声，提高转换效率。由于其出色的稳定性和可靠性，EKMM3B1VSN221MN50S 特别适用于需要在高温、高湿度或其他恶劣环境下运行的电子设备。

GRM319R71H221KA01L, C2225X7R1H221KC291, CL22B221KBNCNNC