USCD024H 时间：2025/12/25 11:34:28 阅读：34

USCD024H是一款由United Silicon Carbide（UnitedSiC，现属于Qorvo）生产的第四代碳化硅（SiC）肖特基二极管。该器件采用先进的碳化硅材料技术制造，专为高效率、高频率和高温环境下的电力电子应用而设计。与传统的硅基二极管相比，USCD024H具有更低的正向导通压降（VF）、极低的反向恢复电荷（Qrr）以及几乎可以忽略不计的反向恢复电流，从而显著降低了开关损耗，提高了系统整体能效。这款二极管额定重复峰值反向电压（VRRM）为650V，平均正向整流电流（IF(AV)）可达24A，适用于高功率密度电源转换系统。
　　USCD024H封装在高性能的TO-247-3L封装中，具备良好的热传导性能和电气隔离能力，适合用于工业级和汽车级应用。其无反向恢复特性使其在与IGBT或MOSFET配合使用时，能够有效抑制电压振铃和电磁干扰（EMI），提升系统的可靠性和稳定性。此外，该器件还具有出色的抗浪涌电流能力和高温工作稳定性，可在高达175°C的结温下持续运行，适用于严苛的工作环境。

参数

型号：USCD024H
　　制造商：Qorvo (UnitedSiC)
　　器件类型：碳化硅肖特基二极管
　　技术代数：第四代SiC
　　最大重复峰值反向电压 VRRM：650V
　　平均正向整流电流 IF(AV)：24A
　　峰值非重复浪涌电流 IFSM：200A
　　正向压降 VF（典型值）：1.55V @ 24A, 25°C
　　反向恢复电荷 Qrr：≈0C（无反向恢复）
　　反向恢复时间 trr：≈0ns
　　工作结温范围 TJ：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围 Tstg：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247-3L
　　安装方式：通孔安装
　　极性：单芯片共阴极结构

特性

USCD024H作为一款高性能碳化硅肖特基二极管，其最核心的优势在于采用了第四代碳化硅半导体工艺，实现了卓越的电学性能和热稳定性。首先，该器件具备极低的正向导通压降，在24A的工作电流下典型值仅为1.55V，这直接减少了导通状态下的功率损耗，提升了能源转换效率。更重要的是，由于碳化硅材料的单极性载流子输运机制，USCD024H不存在传统硅P-N结二极管中的少数载流子储存效应，因此在从正向导通切换到反向阻断时不会产生反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复电流（Irr）。这一特性极大地降低了开关过程中的动态损耗，尤其是在高频DC-DC变换器、图腾柱PFC电路等快速开关场景中表现尤为突出。
　　其次，该器件能够在高达175°C的结温下稳定工作，展现出优异的高温可靠性。相较于硅基二极管通常受限于150°C左右的最大结温，USCD024H更适合应用于高功率密度且散热条件有限的场合，如车载充电机（OBC）、服务器电源、光伏逆变器等。同时，其TO-247-3L封装提供了优良的热传导路径和电气绝缘性能，支持更高的功率输出和更长的使用寿命。此外，该二极管对瞬态过电流具有较强的耐受能力，可承受高达200A的非重复浪涌电流，增强了系统应对异常工况的能力。综合来看，USCD024H凭借其高效、高速、高温和高可靠性的特点，已成为现代电力电子系统中实现小型化、轻量化和高效化的关键元器件之一。

应用

USCD024H广泛应用于各类需要高效率和高频率工作的电力电子系统中。典型应用场景包括但不限于：高效率开关电源（SMPS），尤其是数据中心服务器电源和电信电源模块，利用其低导通损耗和零反向恢复特性来提升整体能效；在功率因数校正（PFC）电路中，特别是图腾柱（Totem-Pole）PFC拓扑中作为升压二极管使用，能够显著降低开关损耗并提高系统效率至99%以上；在太阳能光伏逆变器中，用作直流侧的续流或升压二极管，有助于提升能量转换效率并减少散热需求；在电动汽车相关设备中，如车载充电机（OBC）和DC-DC转换器，得益于其高温工作能力和紧凑设计，有利于实现更高功率密度和更优热管理；此外，它也适用于工业电机驱动、UPS不间断电源以及各种高功率LED照明电源等场合。这些应用均受益于USCD024H所带来的低损耗、高频率操作能力和系统级成本优化。