2N7002HSX 时间：2025/9/14 2:54:09 阅读：21

2N7002HSX 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于低电压和中等功率的开关电路中。该器件采用SOT-23封装，适合用于逻辑接口、负载开关、电源管理和信号路由等应用。2N7002HSX具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于各种消费类电子、工业控制和通信设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：115mA（@VGS=10V）
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：5Ω（@VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：8.5nC
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

2N7002HSX MOSFET具备一系列出色的电气和物理特性，确保其在多种应用环境下的可靠运行。首先，其低导通电阻（RDS(on)）特性使其在导通状态下具有较低的功率损耗，有助于提高系统效率。此外，该器件的最大漏源电压（VDS）为60V，使其适用于多种中等电压开关应用。
　　其次，2N7002HSX具有快速的开关性能，其栅极电荷（Qg）较低，可实现更快的开关转换，适用于高频开关电路。同时，其栅源电压范围为±20V，提供较高的驱动灵活性，并具有良好的过压保护能力。
　　在封装方面，该器件采用标准的SOT-23封装，体积小巧，适合高密度PCB布局。此外，其工作温度范围宽，从-55°C到+150°C，适应工业级温度要求，适用于各种严苛的环境条件。
　　该器件还具有良好的热稳定性和可靠性，符合RoHS环保标准，并具有较高的耐用性和长期稳定性，适用于长时间运行的电子设备。

应用

2N7002HSX MOSFET主要应用于低功耗、小信号开关控制领域。其典型应用包括微控制器或逻辑电路的负载驱动器、LED控制、继电器驱动、电源管理开关以及电池供电设备中的电源控制电路。由于其具有较高的电压耐受能力和较低的导通电阻，该器件也常用于DC-DC转换器、电机驱动电路以及通信设备中的信号路由控制。
　　此外，该MOSFET还可用于保护电路中的反向电流阻断、负载隔离以及低边开关应用。在工业自动化系统中，2N7002HSX可用于控制传感器、执行器和继电器等外围设备的通断。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，它也常用于电源管理单元中的负载开关控制。