类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大漏极电流（Id）：8A（在Tc=100℃时）
　　漏源导通电阻（Rds(on)）：典型值1.2Ω（最大1.5Ω）@ Vgs=10V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V（在Id=250μA时）
　　最大功耗（Ptot）：50W
　　工作温度范围：-55℃~+150℃
　　封装形式：TO-220AB

SB840-HE 具备多项优良特性，使其在功率电子设计中具有广泛应用。首先，其高耐压能力（500V）使得该器件适用于多种高电压应用场景，如电源适配器和工业控制系统。其次，该MOSFET的漏源导通电阻（Rds(on)）较低，典型值为1.2Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，其支持的最大漏极电流为8A，在适当的散热条件下可满足中高功率需求。
　　该器件的栅极阈值电压范围为2V~4V，使其能够兼容多种驱动电路，例如微控制器或专用驱动IC。此外，SB840-HE 的封装形式为 TO-220AB，具备良好的散热性能和机械稳定性，适合在高温环境下工作。其最大功耗为50W，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能，适用于-55℃~+150℃的极端环境。
　　从可靠性角度来看，SB840-HE 具备较高的抗静电能力和良好的热稳定性，适合在工业和消费类电子产品中使用。同时，其封装符合RoHS环保标准，适用于无铅工艺，满足现代电子制造的环保要求。

SB840-HE 主要用于需要中高功率开关控制的场合。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、马达驱动电路、电池管理系统、LED照明控制、逆变器以及工业自动化控制系统等。在开关电源中，该MOSFET可作为主开关元件，用于高效转换和稳压控制；在电机控制中，SB840-HE 可用于H桥电路实现正反转控制；在LED照明系统中，该器件可用于调光和电源管理；在电池管理系统中，该MOSFET可用于充放电控制和保护电路。
　　此外，由于其良好的导通电阻和高耐压特性，SB840-HE 也常用于家用电器中的功率控制电路，如电风扇调速、加热器控制、智能插座和智能照明系统。在新能源应用中，例如太阳能逆变器或储能系统中，该MOSFET也可用于功率调节和能量转换环节。

IRF840, FQP8N50C, STP8NK50Z, 2SK2647