时间：2025/7/10 11:23:59
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CGA3E3NP02E152J080AA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，能够显著提升系统的整体性能。
这款功率 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，适用于高频开关应用场合。其封装形式为 LFPAK8 封装，具备出色的散热性能和可靠性，适合工业级及汽车级应用环境。
型号：CGA3E3NP02E152J080AA
类型：N 沟道 MOSFET
封装：LFPAK8
Vds（漏源极耐压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：2.5mΩ
Id（连续漏极电流）：160A
Qg（栅极电荷）：45nC
Bvdss（击穿电压）：30V
fT（特征频率）：4.7MHz
Tj（工作结温范围）：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，仅为 2.5mΩ，可有效降低导通损耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力，最大支持 160A 的连续漏极电流 Id。
3. 先进的 LFPAK8 封装设计，提供卓越的散热性能和机械稳定性。
4. 快速开关特性，具有较低的栅极电荷 Qg 和较高的特征频率 fT（4.7MHz），非常适合高频应用。
5. 工作温度范围广，能够在 -55℃ 至 +175℃ 的结温范围内稳定运行。
6. 符合 AEC-Q101 标准，确保在严苛环境下长期可靠运行。
7. 内部结构优化以减少寄生电感和电容，进一步提升动态性能。
1. 开关电源（Switching Power Supply）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动（Motor Driver）
4. 逆变器（Inverter）
5. 电池管理系统（Battery Management System, BMS）
6. 汽车电子领域，如电动车牵引逆变器和车载充电器
7. 工业自动化设备中的功率控制模块
