50MXC5600MEFCSN25X40 是一款由 Micron Technology 生产的 DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于特定的高性能存储解决方案,广泛应用于需要大容量内存和高速数据访问的场景,如网络设备、工业控制、通信系统等。该型号的具体配置为特定的密度、封装和速度等级,以满足不同应用需求。
类型:DRAM
容量:512MB
组织结构:x16
电压:2.3V - 3.6V
封装类型:TSOP
封装尺寸:54-TSOP
访问时间:5.4ns
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
接口类型:异步
50MXC5600MEFCSN25X40 是一款异步DRAM芯片,具备高容量和高速访问能力,适用于对数据访问速度要求较高的系统。该芯片采用x16的数据宽度,提供较大的数据吞吐量,支持异步操作模式,能够灵活地适应不同的系统时序需求。此外,该器件的工作电压范围较宽,从2.3V到3.6V,使其适用于多种电源管理方案。该芯片的TSOP封装形式有助于减少封装尺寸,同时提供良好的电气性能和热稳定性。在工业级温度范围内(-40°C至+85°C)正常工作,确保其在恶劣环境下的可靠运行。该芯片还具有较低的待机电流,有助于降低整体功耗,适用于需要节能设计的应用场景。其异步接口设计简化了系统集成,减少了对外部时钟同步的要求,提高了系统的兼容性和稳定性。
该芯片通常用于工业控制、嵌入式系统、通信设备、网络路由器、交换机以及其他需要大容量内存和高速数据处理能力的电子设备中。由于其宽温范围和高可靠性,它也非常适合在恶劣环境条件下运行的系统中使用。
50MXC5600MEFCN25X40, 50MXC5600MEFCN25X40-5A