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50MXC5600MEFCSN25X40 发布时间 时间:2025/9/8 4:05:06 查看 阅读:33

50MXC5600MEFCSN25X40 是一款由 Micron Technology 生产的 DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于特定的高性能存储解决方案,广泛应用于需要大容量内存和高速数据访问的场景,如网络设备、工业控制、通信系统等。该型号的具体配置为特定的密度、封装和速度等级,以满足不同应用需求。

参数

类型:DRAM
  容量:512MB
  组织结构:x16
  电压:2.3V - 3.6V
  封装类型:TSOP
  封装尺寸:54-TSOP
  访问时间:5.4ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  接口类型:异步

特性

50MXC5600MEFCSN25X40 是一款异步DRAM芯片,具备高容量和高速访问能力,适用于对数据访问速度要求较高的系统。该芯片采用x16的数据宽度,提供较大的数据吞吐量,支持异步操作模式,能够灵活地适应不同的系统时序需求。此外,该器件的工作电压范围较宽,从2.3V到3.6V,使其适用于多种电源管理方案。该芯片的TSOP封装形式有助于减少封装尺寸,同时提供良好的电气性能和热稳定性。在工业级温度范围内(-40°C至+85°C)正常工作,确保其在恶劣环境下的可靠运行。该芯片还具有较低的待机电流,有助于降低整体功耗,适用于需要节能设计的应用场景。其异步接口设计简化了系统集成,减少了对外部时钟同步的要求,提高了系统的兼容性和稳定性。

应用

该芯片通常用于工业控制、嵌入式系统、通信设备、网络路由器、交换机以及其他需要大容量内存和高速数据处理能力的电子设备中。由于其宽温范围和高可靠性,它也非常适合在恶劣环境条件下运行的系统中使用。

替代型号

50MXC5600MEFCN25X40, 50MXC5600MEFCN25X40-5A

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50MXC5600MEFCSN25X40参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格200 : ¥29.02510散装
  • 系列MXC
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 电容5600 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定50 V
  • ESR(等效串联电阻)-
  • 不同温度时使用寿命105°C 时为 3000 小时
  • 工作温度-40°C ~ 105°C
  • 极化极化
  • 等级-
  • 应用通用
  • 不同低频时纹波电流2.75 A @ 120 Hz
  • 不同高频时纹波电流3.1625 A @ 10 kHz
  • 阻抗-
  • 引线间距0.394"(10.00mm)
  • 大小 / 尺寸0.984" 直径(25.00mm)
  • 高度 - 安装(最大值)1.654"(42.00mm)
  • 表面贴装焊盘尺寸-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳径向,Can - 卡入式