QMV758AT5 时间：2025/8/12 19:09:09 阅读：10

QMV758AT5 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率电源管理应用，如 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备中的功率开关。QMV758AT5 采用了先进的工艺技术，提供了低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，从而降低了功率损耗，提高了系统效率。该器件采用 TO-252（DPAK）封装，适用于表面贴装技术（SMT），便于在各种 PCB 设计中集成。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：8A
　　脉冲漏极电流（IDM）：32A
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：0.022Ω
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：0.033Ω
　　功耗（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装：TO-252（DPAK）

特性

QMV758AT5 具备多项优异的电气和热性能特性，使其适用于广泛的功率电子应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在 VGS=10V 时，RDS(on) 仅为 0.022Ω，而在 VGS=4.5V 时也保持在 0.033Ω，这意味着该器件可以在较低的栅极驱动电压下仍保持良好的导通性能，适用于低电压控制系统。
　　其次，QMV758AT5 的漏源电压（VDS）为 60V，连续漏极电流（ID）为 8A，脉冲漏极电流可达 32A，具备较高的电流处理能力，适合用于中高功率应用，如 DC-DC 转换器、同步整流、电机驱动等。该器件的热阻（RθJA）为 40°C/W，最大功耗为 40W，能够在较高功率下保持良好的热稳定性。
　　此外，QMV758AT5 的栅源电压（VGS）范围为 ±20V，具有较高的栅极耐压能力，能够承受瞬态电压波动，提高了器件在复杂电磁环境中的可靠性。其工作温度范围为 -55°C 至 175°C，适用于严苛的工业和汽车电子环境。
　　最后，该器件采用 TO-252（DPAK）封装，支持表面贴装技术（SMT），有助于提高 PCB 布局的灵活性，并改善散热性能。这种封装形式广泛应用于电源管理、工业控制、消费电子和汽车电子等领域。

应用

QMV758AT5 主要用于需要高效功率控制的电子系统中。其典型应用包括：DC-DC 降压/升压转换器、同步整流电路、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源管理模块、LED 驱动器、工业自动化设备以及汽车电子系统等。由于其具备高电流能力、低导通电阻和良好的热性能，QMV758AT5 在电源转换效率要求较高的场合中表现出色，能够有效降低系统功耗并提升整体性能。同时，其适用于低电压驱动电路，使得其在基于 3.3V 或 5V 微控制器的嵌入式系统中也能稳定工作。