CEB80N75 是一款功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于需要高效功率转换的电子设备中。这款晶体管具有高耐压和大电流能力,适合用于开关电源、电机控制、逆变器和其他高功率应用。CEB80N75 采用先进的制造工艺,确保了低导通电阻和高可靠性。它的封装形式通常是TO-220或类似的功率封装,以支持良好的散热性能。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):80A
最大漏源电压(VDS):75V
导通电阻(RDS(on)):典型值为3.5mΩ(具体值可能因制造商而异)
栅极电荷(Qg):通常在50nC左右
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-220或其他功率封装
CEB80N75 具有以下几个显著特性:
1. **高电流能力**:该MOSFET能够承受高达80A的连续漏极电流,使其适用于高功率密度的设计。
2. **低导通电阻**:其导通电阻非常低,通常在3.5mΩ左右,这有助于降低导通损耗,提高系统的整体效率。
3. **高耐压能力**:漏源之间的最大电压为75V,使其适用于中高压应用,如DC-DC转换器和电机驱动。
4. **良好的热性能**:采用TO-220或类似封装,具有良好的散热能力,确保在高负载下仍能保持稳定工作。
5. **高可靠性**:该器件经过优化设计,能够在恶劣环境下保持稳定运行,适合工业和汽车应用。
6. **快速开关性能**:由于其较低的栅极电荷(Qg),CEB80N75 可以实现快速开关,减少开关损耗并提高系统效率。
7. **宽工作温度范围**:从-55°C到+175°C的工作温度范围,使其适用于各种环境条件。
CEB80N75 MOSFET广泛应用于多种电力电子系统,包括:
1. **开关电源(SMPS)**:用于电源转换器中的主开关器件,提供高效率的功率转换。
2. **电机控制**:在电机驱动器中用作功率开关,控制电机的速度和方向。
3. **逆变器**:用于DC-AC逆变器中,将直流电源转换为交流电源,适用于UPS和太阳能逆变器等应用。
4. **电池管理系统**:在电池充电和放电电路中用作开关,保护电池免受过流和短路的影响。
5. **LED照明驱动**:用于高功率LED驱动电路中,提供稳定的电流控制。
6. **汽车电子**:在汽车电子系统中用于电源管理和电机控制,如电动车窗、座椅调节和空调系统等。
7. **工业自动化**:在工业控制系统中用于继电器替代、负载开关和电源管理。
IRF1405, STP80NF75, FDP80N75, SiE800DD