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BAW156T-7-F 发布时间 时间:2025/12/26 9:53:06 查看 阅读:17

BAW156T-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装硅PNP晶体管,属于通用放大和开关应用的中小功率晶体管系列。该器件采用SOT-23(SC-59)小型封装,适用于高密度印刷电路板设计,特别适合空间受限的便携式电子设备。其结构基于先进的平面技术制造,具有良好的热稳定性和可靠性。BAW156T-7-F在设计上优化了直流电流增益(hFE)的一致性与饱和电压表现,使其在低频信号放大、逻辑电平转换、LED驱动以及小继电器控制等场景中表现出色。该晶体管符合RoHS环保标准,并支持无铅焊接工艺,兼容现代自动化贴片生产线。由于其性价比高且供货稳定,被广泛应用于消费类电子产品、工业控制模块、电源管理单元及通信接口电路中。

参数

型号:BAW156T-7-F
  制造商:Diodes Incorporated
  晶体管类型:PNP
  最大集电极-发射极电压(VCEO):80V
  最大发射极-基极电压(VEBO):5V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大功耗(PD):200mW
  直流电流增益(hFE):100 - 400(典型值,测试条件IC = 10mA, VCE = 5V)
  饱和电压(VCE(sat)):≤300mV(测试条件IC = 10mA, IB = 0.5mA)
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23(SC-59)
  安装方式:表面贴装
  通道数:单通道

特性

BAW156T-7-F作为一款高性能PNP型双极结型晶体管(BJT),具备优异的电气特性和稳定性,适用于多种模拟与数字电路环境。
  首先,该器件的最大集电极-发射极电压可达80V,使其能够在中高压环境下可靠工作,远高于一般通用晶体管的50V水平,从而拓展了其在电源切换或较高电压信号处理中的适用性。其次,其直流电流增益(hFE)范围为100至400,在多个工作点下保持较高的增益一致性,有助于提升放大电路的线性度与稳定性,减少外围补偿元件的需求。
  此外,BAW156T-7-F具有较低的集电极-发射极饱和电压(VCE(sat) ≤ 300mV,当IC=10mA时),这表明其在开关模式下导通损耗较小,有利于提高系统能效并降低发热。这对于电池供电设备尤为重要,可延长续航时间。同时,其基极-发射极开启电压(VBE(on))约为0.7V左右,与标准硅材料特性一致,便于与TTL或CMOS逻辑电平匹配使用。
  该晶体管采用SOT-23小型表面贴装封装,体积紧凑(典型尺寸约2.8mm x 1.6mm x 1.1mm),非常适合用于智能手机、穿戴设备、智能家居传感器等对空间要求严苛的应用场合。封装材料具有良好导热性能,并通过AEC-Q101可靠性认证(如适用),确保在温度循环、湿度、振动等恶劣条件下仍能稳定运行。
  另外,BAW156T-7-F支持无铅回流焊工艺,符合RoHS和无卤素指令,满足现代电子产品环保法规要求。其批量生产良率高,参数分布集中,便于自动化选型与大规模贴装,降低了整机制造成本。总体而言,这款晶体管以其高耐压、高增益、低饱和压降和小尺寸封装,成为众多工程师在进行低功耗、高密度设计时的首选之一。

应用

BAW156T-7-F因其优异的电气性能和紧凑封装,广泛应用于各类电子系统中。
  在消费类电子产品中,常用于LCD背光驱动、音频信号放大、按键去抖电路以及MCU输出扩展等功能模块;例如,在智能手表或无线耳机中,利用其低功耗特性实现LED状态指示灯的开关控制。
  在工业控制领域,该晶体管可用于传感器信号调理电路中的电平转换或继电器驱动前级放大,尤其适用于PLC输入/输出模块、温湿度变送器等小型化工业节点设备。
  通信接口电路中,它可作为RS-232或CAN总线电平转换器的一部分,配合NPN晶体管构建推挽输出结构,增强驱动能力。
  此外,在电源管理系统中,BAW156T-7-F可用于线性稳压器的外接调整管、电池充放电保护开关或负载切换电路,发挥其高耐压和良好热稳定性的优势。
  在汽车电子方面,虽然非车规级版本不直接用于主控系统,但可在车载娱乐系统、车内照明控制或OBD-II诊断接口模块中作为通用开关元件使用。其稳定的参数表现也使其成为原型开发、教育实验和维修替换中的常用型号。

替代型号

MMBT3906, BC857B, FMMT718, DTA143EK

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BAW156T-7-F参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管,整流器 - 阵列
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.1V @ 50mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电5nA @ 75V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)125mA(DC)
  • 电压 - (Vr)(最大)85V
  • 反向恢复时间(trr)3µs
  • 二极管类型标准
  • 速度小信号 =
  • 二极管配置1 对共阳极
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-523
  • 供应商设备封装SOT-523
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称BAW156T-FDIDKR