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STB3N62K3 发布时间 时间:2025/7/22 15:07:00 查看 阅读:7

STB3N62K3 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的N沟道增强型功率MOSFET,具有高耐压和低导通电阻的特点。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、照明驱动及消费类电子产品中。STB3N62K3采用先进的超级结(Super Junction)技术,能够在650V的漏源电压下工作,并提供高达3A的连续漏极电流。该器件的封装形式为TO-220,便于散热和安装。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):650V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):3A
  导通电阻(RDS(on)):典型值为2.5Ω(最大值3.0Ω)
  功耗(PD):40W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-220

特性

STB3N62K3 的主要特性包括高耐压能力、低导通电阻、良好的热稳定性以及高可靠性。该器件采用超级结技术,显著降低了导通损耗,提高了系统的整体效率。此外,STB3N62K3具有快速开关能力,适用于高频开关应用,有助于减小电源系统的体积和重量。其TO-220封装提供了良好的散热性能,能够在较高功率下稳定运行。该MOSFET还具备较高的雪崩能量耐受能力,增强了器件在异常工况下的可靠性。STB3N62K3的栅极驱动特性优化,使得其在低电压驱动电路中也能表现出色,适用于各种电源转换和控制电路。

应用

STB3N62K3 主要应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、LED照明驱动、电机控制、电池管理系统、家电控制电路、工业自动化设备以及消费类电子产品中。由于其高效率和高可靠性,特别适合需要高效率和紧凑设计的电源系统。

替代型号

STB3N62K3T4, STB3N62K3AG, STB3N62K3TPL

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STB3N62K3参数

  • 其它有关文件STB3N62K3 View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperMESH™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)620V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.5 欧姆 @ 1.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs13nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds385pF @ 25V
  • 功率 - 最大45W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-8476-6