时间：2025/7/22 15:07:00
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STB3N62K3 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET，具有高耐压和低导通电阻的特点。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、照明驱动及消费类电子产品中。STB3N62K3采用先进的超级结（Super Junction）技术，能够在650V的漏源电压下工作，并提供高达3A的连续漏极电流。该器件的封装形式为TO-220，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：650V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：3A
导通电阻（RDS(on)）：典型值为2.5Ω（最大值3.0Ω）
功耗（PD）：40W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
STB3N62K3 的主要特性包括高耐压能力、低导通电阻、良好的热稳定性以及高可靠性。该器件采用超级结技术，显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，STB3N62K3具有快速开关能力，适用于高频开关应用，有助于减小电源系统的体积和重量。其TO-220封装提供了良好的散热性能，能够在较高功率下稳定运行。该MOSFET还具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在异常工况下的可靠性。STB3N62K3的栅极驱动特性优化，使得其在低电压驱动电路中也能表现出色，适用于各种电源转换和控制电路。
STB3N62K3 主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED照明驱动、电机控制、电池管理系统、家电控制电路、工业自动化设备以及消费类电子产品中。由于其高效率和高可靠性，特别适合需要高效率和紧凑设计的电源系统。
STB3N62K3T4, STB3N62K3AG, STB3N62K3TPL
