时间：2025/6/29 10:26:16
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PBT26110105 是一款基于 GaN（氮化镓）技术的高性能功率晶体管，专为高频开关应用设计。它采用了先进的封装工艺，能够显著提升功率密度和效率，同时降低系统体积和成本。该器件适用于高效率 DC-DC 转换器、无线充电设备以及各种工业电源应用。
GaN 技术以其高电子迁移率和低导通电阻而闻名，使得 PBT26110105 在高频工作条件下表现尤为出色。与传统的硅基 MOSFET 相比，GaN 器件能够在更高的频率下保持较低的开关损耗，从而实现更紧凑的设计和更高的能效。
类型：增强型场效应晶体管
材料：GaN（氮化镓）
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：10A
导通电阻：45mΩ
栅极电荷：70nC
反向恢复时间：10ns
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
封装形式：TO-247
PBT26110105 具备以下关键特性：
1. 高效率：得益于 GaN 的低导通电阻和快速开关速度，能够在高频工作条件下维持高效率。
2. 快速开关性能：反向恢复时间仅为 10ns，大幅减少开关损耗。
3. 热性能优越：采用 TO-247 封装，具备良好的散热能力。
4. 宽禁带半导体：GaN 材料的使用使其在高电压和高频率场景中表现优异。
5. 可靠性高：经过严格测试，满足工业级应用要求。
6. 小型化设计：相较于传统硅基功率器件，能够显著减小系统的整体尺寸和重量。
PBT2611010105 广泛应用于以下领域：
1. 高频 DC-DC 转换器：
- 服务器电源
- 工业电源
- 通信基站电源
2. 无线充电设备：
- 消费电子无线充电模块
- 工业无线充电解决方案
3. 开关电源 (SMPS)：
- PC 电源适配器
- 笔记本电脑充电器
4. 太阳能逆变器：
- 微型逆变器
- 组件级电力电子设备
5. 电机驱动：
- 工业伺服驱动
- 机器人控制
PBT26110104, PBT26110106
