时间：2025/5/10 13:33:04
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2SC4521T-TD-E 是一种 NPN 型高频小信号晶体管，主要用于射频和高频放大应用。该晶体管具有较高的增益、低噪声特性以及良好的线性性能，非常适合在无线通信设备、收发器模块以及其他高频电路中使用。其封装形式通常为小型表面贴装类型（SOT-89），便于在紧凑型设计中实现高效散热。
集电极-发射极击穿电压（Vceo）：30V
集电极最大电流（Ic）：0.2A
直流电流增益（hFE）：80~250
特征频率（fT）：750MHz
工作温度范围：-55℃~150℃
封装形式：SOT-89
2SC4521T-TD-E 晶体管具备以下显著特点：
1. 高频性能优异，特征频率 fT 可达 750MHz，适用于射频放大器设计。
2. 具有较高的直流电流增益 hFE，典型值在 80 至 250 范围内，能够提供稳定的信号增益。
3. 封装采用 SOT-89，体积小巧且散热性能良好，适合高密度电路板布局。
4. 工作温度范围宽广，支持从 -55℃ 到 +150℃ 的极端环境应用。
5. 低噪声设计，特别适合对信噪比要求较高的接收机前端电路。
2SC4521T-TD-E 主要应用于以下领域：
1. 射频和微波放大器设计，包括无线通信模块中的低噪声放大器（LNA）。
2. 高频振荡器及混频器电路。
3. 便携式电子设备的信号调理与增强功能。
4. 工业自动化系统中的高频控制电路。
5. 医疗电子仪器中对低噪声放大部分的需求。
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