时间：2025/7/4 19:09:37
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CDR33BP332AKZMAT是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双路N沟道增强型MOSFET功率晶体管，采用SOIC-8封装形式。这款器件主要用于需要高效能开关的应用场合，例如电源管理、电机驱动以及电信设备等。该芯片内部集成了两个独立的MOSFET通道，能够显著降低导通电阻并提高系统效率。
型号：CDR33BP332AKZMAT
封装：SOIC-8
VDS（漏源极电压）：30V
RDS(on)（导通电阻）：典型值为2.9mΩ（在VGS=10V条件下）
ID（连续漏极电流）：36A（每通道）
VGS(th)（阈值电压）：典型值为2.5V
Qg（栅极电荷）：最大值为7nC
fSW（推荐开关频率）：高达1MHz
工作温度范围：-55°C至+175°C
CDR33BP332AKZMAT具备低导通电阻和高电流承载能力，非常适合于高频开关应用。其主要特点包括：
1. 集成双通道设计，简化电路布局并减少元件数量。
2. 极低的导通电阻（2.9mΩ），有效降低功耗和热损耗。
3. 高额定电流（每通道达36A），支持大功率负载。
4. 快速开关性能，适合高频DC-DC转换器和同步整流应用。
5. 工作温度范围宽广（-55°C至+175°C），适应恶劣环境条件。
6. 符合RoHS标准，环保无铅封装。
CDR33BP332AKZMAT广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器和降压/升压转换器。
3. 电机控制与驱动。
4. 负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统（BMS）。
6. 通信设备中的电源模块。
7. 汽车电子及工业自动化设备。
CDR33BP332AKRMAT
NTMFS4C66N
FDP6700
IRL3803TRPBF
