型号：10N65L-ML
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：650V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：10A
　　脉冲漏极电流（IDM）：40A
　　最大功耗（PD）：125W
　　导通电阻（RDS(on)）@10V VGS：≤0.75Ω
　　导通电阻（RDS(on)）@10V VGS 最大值：0.85Ω
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：1100pF @ 25V VDS
　　输出电容（Coss）：260pF @ 25V VDS
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　二极管正向压降（VSD）：1.2V @ IF=10A
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C

10N65L-ML的核心优势在于其基于超结结构的先进硅工艺，这种设计显著降低了传统高压MOSFET中存在的“导通电阻×面积”乘积（RDS(on) × A），从而实现了在650V耐压等级下的极低导通损耗。这使得器件在高电压应用中仍能保持出色的能效表现，尤其适用于追求小型化与高效率的现代开关电源设计。其RDS(on)典型值仅为0.75Ω，在同类产品中处于领先水平，有助于减少发热并提升系统整体可靠性。此外，该器件具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，能够有效降低开关损耗，提高转换效率。
　　另一个关键特性是其出色的动态性能。10N65L-ML的输出电容（Coss）较小，且具有良好的线性度，这使其在硬开关拓扑如反激式（Flyback）和正激式（Forward）变换器中表现出更快的能量释放速度，减少关断时的能量损耗。同时，其体二极管具备较短的反向恢复时间（trr约为45ns），可在连续导通模式（CCM）下有效抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI），无需额外增加复杂的吸收电路，从而简化PCB布局并降低成本。该器件还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压事件中承受一定的能量冲击，增强了系统的鲁棒性。
　　在热管理方面，10N65L-ML采用TO-220封装形式，具有较低的热阻（RθJC约1.5°C/W），便于通过散热片将热量传导至外部环境。即使在高功率密度应用场景下，也能维持稳定的结温运行。此外，该MOSFET对dv/dt和di/dt噪声具有良好的免疫能力，减少了误触发的风险。综合来看，10N65L-ML凭借其低导通电阻、优良的开关特性、高耐压能力以及可靠的封装设计，成为众多中等功率电源系统的理想选择。

10N65L-ML广泛应用于多种需要高效、高压开关能力的电力电子系统中。典型用途包括：离线式AC-DC开关电源，如手机充电器、笔记本电脑适配器、LCD电视电源板等；LED照明驱动电源，特别是在单级PFC反激电路中，能够实现高功率因数和低谐波失真；工业用小型开关电源模块（SPS），支持宽输入电压范围下的稳定输出；电信设备中的二次侧电源转换单元；以及家电类产品中的待机电源（Standby Power Supply）。
　　在反激式变换器拓扑中，10N65L-ML常被用作主开关管，利用其650V的高耐压能力来应对整流后母线电压波动，尤其是在通用输入（85VAC~265VAC）条件下依然具备足够的安全裕量。其低RDS(on)和快速开关特性有助于实现高于85%的转换效率，并满足各国能效法规要求。此外，在有源钳位反激（Active Clamp Flyback, ACF）架构中，该器件也可作为主开关或钳位开关使用，配合控制器实现零电压开关（ZVS），进一步降低损耗。
　　该器件还可用于DC-DC升压或降压变换器中，尤其是在前级PFC升压电路中作为开关元件，帮助提升系统功率因数至0.9以上。在太阳能微逆变器或小型储能系统的辅助电源中，10N65L-ML也展现出良好的适应性。得益于其坚固的结构和全面的保护特性，该MOSFET在恶劣电磁环境和温度变化较大的工业现场仍能可靠运行。因此，无论是消费类还是工业级应用，10N65L-ML都是一种性价比高且技术成熟的解决方案。

FQP10N65C
　　STP10NK65ZFP
　　KSE10N65U4
　　APW10N65CS