时间：2025/12/23 19:26:34
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FTD36N06N是一种N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），属于功率半导体器件。该器件采用先进的制造工艺设计，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性。FTD36N06N的额定电压为60V，广泛应用于各种需要高效功率转换和开关控制的场景，如开关电源、电机驱动、负载切换以及DC-DC转换器等。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：36A
导通电阻：1.4mΩ（典型值）
栅极电荷：27nC（典型值）
开关时间：ton=9ns，toff=15ns（典型值）
工作结温范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-247
FTD36N06N具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低功率损耗。
2. 高速开关能力，支持高频应用，减少能量损失。
3. 良好的热性能，确保在高功率条件下稳定运行。
4. 优化的栅极电荷设计，有助于提升整体系统效率。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
6. 宽温度范围适应性，能够在恶劣环境下可靠工作。
该MOSFET适用于多种功率电子领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器中用于降压或升压操作。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 汽车电子系统的负载切换与保护。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 电池管理系统中的充放电控制。
IRFZ44N, FQP30N06L
