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MD160B30PPL 发布时间 时间:2025/9/6 16:02:34 查看 阅读:6

MD160B30PPL 是一款由Microsemi(现为Microchip Technology旗下品牌)生产的高可靠性功率MOSFET模块,专为高功率和高效率应用设计。该模块采用先进的功率封装技术,具有出色的热管理和电气性能,适用于工业、汽车和电源转换系统。

参数

类型:功率MOSFET模块
  最大漏极电流(ID):160A
  最大漏-源电压(VDS):300V
  最大栅-源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):典型值为18mΩ
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:双列直插式封装(DIP)
  热阻(RthJC):0.25°C/W
  

特性

MD160B30PPL具备低导通电阻的特点,这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。其先进的封装设计确保了良好的散热性能,适用于高功率密度应用。
  该模块采用多个并联MOSFET结构,以实现更高的电流承载能力,并通过优化的布局减少开关损耗。
  此外,MD160B30PPL具有高雪崩能量耐受能力,能够在极端工作条件下提供稳定可靠的性能。
  其栅极驱动电路设计兼容标准逻辑电平,简化了控制电路的设计与集成。
  模块内部集成了温度传感器,便于实现过温保护功能,从而提高系统的安全性和稳定性。

应用

MD160B30PPL广泛应用于各种高功率电子系统中,包括但不限于电动车辆(EV)充电系统、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、工业电机驱动器、电源转换器(如DC-DC转换器)以及高功率电源管理设备。
  在电动车领域,该模块可用于车载充电器(OBC)和牵引逆变器,提供高效的能量转换和稳定的输出性能。
  在可再生能源系统中,MD160B30PPL适用于光伏逆变器和储能系统,帮助实现高效率的能量转换与管理。
  此外,该模块还适用于工业自动化设备和高功率LED照明系统,满足其对高可靠性和高效率的严格要求。

替代型号

IXFN160N30P, STP160N3LLZ, IRFP4468PBF

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