型号：AM2708-1DC
　　制造商：Advanced Micro Devices (AMD)
　　存储容量：8K x 8位（64Kb）
　　组织结构：8192字 × 8位
　　电源电压：5V ± 10%
　　访问时间：150ns
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　封装类型：28引脚 DIP（双列直插式封装）
　　输入/输出逻辑电平：TTL兼容
　　最大读取电流：40mA
　　待机电流：100μA
　　读写模式：异步读写操作
　　三态输出：支持
　　芯片使能（CE）：低电平有效
　　输出使能（OE）：低电平有效
　　写使能（WE）：低电平有效

AM2708-1DC具备多项关键特性，使其在当时成为许多嵌入式系统和工业电子设备中的理想选择。首先，该芯片采用高性能CMOS技术制造，实现了速度与功耗之间的良好平衡。其典型访问时间为150纳秒，能够在大多数微处理器系统的总线周期内完成数据读取操作，确保系统运行的高效性和实时性。这种级别的访问速度特别适用于缓存数据、暂存中间计算结果以及作为微控制器外扩内存使用。
　　其次，AM2708-1DC具有完全静态的异步架构，这意味着只要供电正常，数据就会一直保持，而无需像DRAM那样定期刷新。这一特性不仅降低了系统设计的复杂性，还提高了系统的可靠性，尤其适合用于长时间运行且不易维护的工业设备中。同时，其三态输出结构允许多个存储器或外围设备共享同一数据总线，通过片选信号（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）实现精确的地址译码和总线控制，增强了系统的扩展能力。
　　再者，该器件支持低功耗待机模式。当芯片未被选中时，电流消耗可降至仅100微安左右，显著减少了空闲状态下的能源浪费，这对于使用电池供电或注重节能的系统尤为重要。此外，所有输入端均具备抗静电保护电路，提升了器件在实际应用中的鲁棒性。其TTL电平兼容性也使得它可以无缝对接多种传统逻辑电路和微处理器系统，如8051、68000等经典架构。
　　最后，AM2708-1DC采用28引脚DIP封装，引脚间距标准，易于手工焊接和测试，非常适合研发阶段的原型验证和小规模部署。虽然当前已有更小封装和更高密度的替代方案，但在某些需要长期供货保障或维修替换的场合，该器件仍具实用价值。

AM2708-1DC广泛应用于多种需要外部数据存储功能的电子系统中。在工业自动化领域，它常被用作PLC（可编程逻辑控制器）或工业HMI（人机界面）设备中的缓冲存储器，用于临时保存传感器采集的数据或控制指令队列。由于其高可靠性和稳定的读写性能，该芯片也被集成于各类通信设备中，例如调制解调器、路由器和交换机的旧型号产品中，作为协议处理单元的辅助内存使用。
　　在测试与测量仪器方面，AM2708-1DC可用于数据采集系统中，快速存储来自ADC转换后的采样结果，并等待主控CPU进一步处理。其异步接口特性使其能够灵活匹配不同主频的处理器系统，无需复杂的时钟同步机制。此外，在医疗设备、航空航天地面支持设备以及军事通信终端等对稳定性要求较高的环境中，该SRAM也曾作为关键组件参与系统构建。
　　教育和科研领域同样受益于此类通用型SRAM芯片的存在。由于其接口直观、时序明确，AM2708-1DC常被用于大学电子工程课程的教学实验平台中，帮助学生理解存储器的工作原理、总线时序控制及地址译码技术。即使在现代FPGA开发板尚未普及的年代，这类独立SRAM芯片是构建最小计算机系统的必要组成部分。
　　尽管目前主流市场已转向更高密度、更低电压的存储解决方案，但在设备维修、备件替换和遗留系统升级等特殊场景下，AM2708-1DC依然发挥着不可替代的作用。

MCM2708PCZ
　　IDT71V08S
　　CY7C108BN