时间：2025/5/21 8:44:53
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CDR31BP511AJZPAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和稳定性。
这款功率MOSFET属于N沟道增强型器件，其设计旨在优化开关性能和降低功耗。此外，它还具备出色的热特性和抗浪涌能力，非常适合在严苛的工业环境中使用。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：51A
导通电阻(Rds(on))：1.8mΩ
栅极电荷(Qg)：94nC
开关速度：快速开关
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以有效减少传导损耗，提升系统效率。
2. 高电流处理能力，峰值电流高达51A，适用于大功率应用场景。
3. 快速开关特性，支持高频操作，有助于减小无源元件体积并提高功率密度。
4. 出色的热性能，能够承受较高的结温，确保长时间稳定运行。
5. 具备优异的抗静电能力和鲁棒性，适合复杂电磁环境下的应用。
6. 宽广的工作温度范围，适应从极寒到高温的各种工况。
7. 封装牢固可靠，便于散热设计与模块化集成。
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率级控制元件。
3. DC-DC转换器的核心功率开关。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换。
6. 汽车电子系统中的大电流开关应用。
7. UPS不间断电源以及电池管理系统中的功率管理单元。
CDR31BP501AJZPAT, IRF540N, FDP55N06L
