类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：250V
　　连续漏极电流（ID）：82A（在 Tc=25°C）
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 9.5mΩ（最大值 13mΩ）
　　功耗（PD）：320W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247AC

IFTK82N25 具有多种显著的性能优势。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提升整体效率。此外，该器件支持高达 250V 的漏源电压，适用于多种中高压功率转换应用。该 MOSFET 采用了先进的封装技术，具备良好的热管理和散热能力，能够在高温环境下保持稳定运行。此外，其坚固的结构设计和宽泛的工作温度范围使其在工业和汽车应用中表现出色。IFTK82N25 还具备快速开关特性，有助于降低开关损耗，提高系统响应速度。
　　该器件的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，简化了与控制电路的接口设计。同时，其高抗雪崩能力和过热保护特性增强了器件在严苛环境下的可靠性。由于其高性能和高可靠性，IFTK82N25 成为了许多高功率应用的首选器件。

IFTK82N25 被广泛应用于多种功率电子系统中。在工业领域，它常用于 DC-DC 转换器、电机驱动器和不间断电源（UPS）系统。在汽车电子中，该器件可用于车载充电器、电池管理系统和电动助力转向系统。此外，IFTK82N25 还适用于太阳能逆变器、服务器电源和家用电器中的高功率控制电路。由于其高可靠性和高效能特性，该 MOSFET 在需要长时间稳定运行的系统中表现出色。

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　　 "IPW90R120C3",
　　 "STP80N250FP",
　　 "FDPF82N25"
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