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IRF9956 发布时间 时间:2025/6/18 20:00:05 查看 阅读:3

IRF9956是英飞凌(Infineon)公司生产的P沟道功率MOSFET。该器件采用TO-252封装形式,适用于低功耗开关电源、负载切换电路和DC-DC转换器等应用领域。由于其出色的导通电阻和开关特性,IRF9956在便携式设备、计算机外设以及通信系统中得到了广泛应用。
  这款MOSFET具有较高的电流处理能力和较低的导通电阻,同时支持快速开关操作。这些特点使得IRF9956成为高效能设计的理想选择。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±12V
  连续漏极电流:-7.6A
  导通电阻(Rds(on)):38mΩ(典型值,Vgs=-4.5V时)
  栅极电荷:-3.9nC
  输入电容:-135pF
  总功耗:1.1W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

IRF9956的主要特性包括:
  1. 高效的导通性能,其低导通电阻能够显著减少功率损耗。
  2. 快速开关能力,适合高频开关应用。
  3. TO-252小型化封装,有助于节省PCB空间。
  4. 具有良好的热稳定性和可靠性,适用于恶劣的工作环境。
  5. 可靠的电气隔离和抗噪能力,确保在复杂电磁环境下的正常运行。

应用

IRF9956广泛应用于以下场景:
  1. 开关电源中的负载控制。
  2. 各类电子设备中的电池管理模块。
  3. DC-DC转换器,用作高效的开关元件。
  4. 负载切换和保护电路。
  5. 工业自动化设备中的信号调节和驱动电路。
  6. 汽车电子系统中的电源管理和控制单元。

替代型号

IRF7407, IRLML6344

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IRF9956参数

  • 标准包装95
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 2.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds190pF @ 15V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF9956