容量：4GB
　　类型：DRAM
　　封装：BGA
　　时钟频率：466MHz
　　数据速率：933Mbps
　　电压：1.5V
　　接口类型：XDR2
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

H8BCSOQEOMBR-46M 是一款高性能XDR2 DRAM芯片，其核心特性包括高容量、高速数据传输和低功耗设计。该芯片采用XDR2（eXtreme Data Rate 2）技术，能够在每个时钟周期传输多个数据位，从而实现极高的带宽利用率。其933Mbps的数据速率可满足对内存带宽有严苛要求的高性能计算系统和图形处理设备的需求。此外，芯片支持低电压操作（1.5V），有助于降低整体功耗并提升能效比。
　　H8BCSOQEOMBR-46M 采用先进的制造工艺，具备出色的稳定性和可靠性，适用于工业级和商业级应用场景。其BGA封装形式不仅减小了PCB占用空间，还提高了信号完整性，减少了电磁干扰（EMI）。该芯片支持自动刷新和自刷新功能，可在不访问数据时自动维持存储内容，从而延长电池寿命，适用于便携式设备和嵌入式系统。
　　在工作温度方面，H8BCSOQEOMBR-46M 支持-40°C至+85°C的宽温范围，可在恶劣环境下稳定运行，广泛应用于工业控制、车载系统、通信设备等对环境适应性要求较高的领域。

H8BCSOQEOMBR-46M 主要应用于需要高性能内存支持的系统，如高端图形处理器（GPU）、嵌入式计算平台、通信设备、服务器内存模块以及工业自动化控制系统。由于其高带宽和低延迟特性，该芯片特别适合用于需要大量数据吞写的应用场景，例如高清视频处理、实时数据分析、网络交换设备以及高性能计算加速器等。

H8BCSOQEOMBR-46M 的替代型号包括 H8BCS1CBU5BRS8N 和 H8BCS1CBU5BRS8A，它们具有相似的容量和性能参数，适用于类似的高性能存储应用。