P873P60MR-2 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)生产的功率MOSFET模块,广泛应用于高功率和高频率的电力电子系统中。该模块集成了多个MOSFET芯片,采用先进的封装技术,以实现更高的电流承载能力和热管理效率。其主要设计目的是用于电机控制、电源转换、UPS系统以及工业自动化设备中的功率开关应用。
类型:功率MOSFET模块
最大漏源电压(VDS):600V
最大漏极电流(ID):70A
导通电阻(RDS(on)):0.16Ω(典型值)
封装类型:模块封装
最大工作温度:150℃
栅极驱动电压:10V~20V
短路耐受能力:有
热阻(Rth):0.35K/W
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
P873P60MR-2具备低导通电阻,能够显著降低导通损耗,提高系统效率。它采用了先进的封装技术,具备良好的散热性能,适用于高温环境下的稳定运行。此外,该模块具有较高的短路耐受能力,能够在瞬态过载条件下保持稳定工作,提升系统的可靠性。
这款MOSFET模块还具备优异的电磁兼容性(EMC),减少了高频开关应用中的噪声干扰。其模块化设计简化了PCB布局,并提升了整体系统的结构紧凑性。同时,P873P60MR-2在制造过程中采用了符合RoHS标准的材料,支持环保应用需求。
P873P60MR-2广泛应用于工业电源、UPS不间断电源、逆变器、电机驱动器、电焊机、感应加热设备以及高功率开关电源(SMPS)等场合。在这些应用中,该模块能够提供高效率、高稳定性和高可靠性的功率开关性能,满足复杂工况下的电气需求。此外,它也适用于新能源系统,如光伏逆变器和电动汽车充电设备中,作为核心功率器件进行电能转换与控制。
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