CDR31BP221BJUS7185 是一款高性能的贴片式陶瓷电容,主要用于高频电路中的滤波、耦合和去耦等应用。该型号属于C0G介质系列,具有极佳的温度稳定性和低损耗特性,适合要求高精度和高可靠性的场景。
其外形尺寸小巧,适合在高密度设计中使用,同时提供了良好的电气性能和稳定性。
容量:22pF
额定电压:50V
耐压值:50V
介质类型:C0G(NP0)
封装类型:0402
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
公差:±5%
频率特性:适用于高频应用
CDR31BP221BJUS7185 的主要特点是采用了C0G介质材料,这种材料的介电常数非常稳定,且在宽温度范围内几乎没有容量漂移现象。此外,它具备出色的抗潮湿能力,可以有效防止环境因素对其性能的影响。
由于其低ESR(等效串联电阻)和低ESL(等效串联电感),此型号非常适合用于射频(RF)电路、时钟振荡器以及高速信号链路中的去耦和旁路操作。
此外,该器件采用无铅端头设计,符合RoHS环保标准,便于在绿色电子产品中使用。
该芯片电容器广泛应用于通信设备、消费类电子产品、医疗仪器和汽车电子等领域。具体包括:
- 高频滤波电路
- 振荡器和晶体电路
- 微处理器电源去耦
- 射频模块中的匹配网络
- 数据传输线路中的噪声抑制
其小尺寸和高可靠性也使其成为便携式设备的理想选择。
CMR31BP221BJUS7185
KDR31BP221BJUS7185
MDR31BP221BJUS7185