时间：2025/6/6 10:28:11
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SI4927DY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了 Vishay 的 Silicon-Infineon 技术，旨在提供高效率和卓越的性能表现。其设计主要面向需要低导通电阻和快速开关速度的应用场景。
该型号采用小型化的 TOLL 封装形式，具备出色的散热性能和电气特性，适用于多种工业、汽车和消费电子领域。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：84A
导通电阻（典型值）：1.4mΩ
栅极电荷：128nC
反向恢复时间：50ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
SI4927DY-T1-E3 具有超低的导通电阻和优化的栅极电荷，能够显著降低传导损耗和开关损耗。其高电流承载能力和耐热增强型封装使其非常适合于要求苛刻的电力转换应用。
该器件还具备强大的抗雪崩能力，能够在短路或过载情况下保持稳定运行。此外，TOLL 封装形式支持自动光学检测，并且无需在印刷电路板上开孔，从而简化了制造工艺并提高了可靠性。
其优越的性能指标使得 SI4927DY-T1-E3 成为高效功率变换器、电机驱动以及 DC/DC 转换器等应用的理想选择。
该芯片广泛应用于高性能电源管理系统中，包括但不限于以下场景：
1. 服务器和通信设备中的大功率 DC/DC 转换器
2. 工业电机驱动及逆变器
3. 新能源汽车中的车载充电器与电池管理系统
4. 高效照明系统及 LED 驱动
5. 太阳能微型逆变器及其他可再生能源解决方案
由于其优异的热特性和电流处理能力，该器件也非常适合用于高频开关模式电源 (SMPS) 和 UPS 系统。
SIH4927DP-T1-E3
STP80NE06L
IRLB8748PBF
