时间：2025/6/10 16:29:16
阅读：9
IRF5804TRPBF 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和其他功率管理应用。其封装形式为 TO-263-3（D2PAK），能够满足大电流和散热需求。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：117A
导通电阻：1.1mΩ（典型值，@Vgs=10V）
栅极电荷：89nC
反向恢复时间：18ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
IRF5804TRPBF 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），使其在高频开关应用中表现出色，减少传导损耗。
2. 高电流处理能力（117A 连续漏极电流），适合需要大功率输出的应用场景。
3. 快速开关性能，得益于低栅极电荷和短反向恢复时间，降低开关损耗。
4. 宽温度范围（-55℃ 至 +175℃），确保在极端环境条件下仍能稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 封装为 TO-263-3，具备良好的散热性能和机械可靠性。
IRF5804TRPBF 广泛应用于多种领域，例如：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器，用于提升转换效率和功率密度。
3. 电机驱动电路，尤其是高功率电机控制场合。
4. 工业自动化设备中的负载切换和功率管理。
5. 电动车及混合动力汽车中的电池管理系统和逆变器模块。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换部分。
IRF540N, IRFZ44N, FDP5800
