类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：60A
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：500V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω（最大）
　　功率耗散（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-268（SMD封装）

FTBVP5SH50U具备多项优异特性，使其在高性能电源应用中表现卓越。首先，其低导通电阻（Rds(on)）降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。其次，该器件的高击穿电压（Vds为500V）使其适用于高电压输入的功率转换器，如AC/DC转换器、太阳能逆变器和工业电机驱动器。此外，该MOSFET的SMD封装设计有助于提高组装效率，并提供良好的热管理能力，确保在高负载条件下的稳定运行。
　　该器件还具有出色的开关特性，包括快速的开关速度和较低的开关损耗，适用于高频开关应用，如DC/DC转换器、谐振变换器和同步整流电路。同时，其较高的栅极耐压能力（±30V）增强了其在恶劣工作环境下的可靠性，避免了栅极氧化层被击穿的风险。此外，FTBVP5SH50U的工作温度范围较宽（-55°C至+150°C），适用于工业级和汽车电子应用，确保在极端环境下的稳定性和寿命。

FTBVP5SH50U适用于多种高功率、高频率的电力电子应用。常见的应用包括开关电源（SMPS）、AC/DC和DC/DC转换器、UPS不间断电源、电动工具、光伏逆变器以及工业自动化控制系统。此外，该器件也可用于电动车充电器、储能系统和LED照明驱动电源等新兴应用领域。由于其SMD封装形式，特别适合用于空间受限但对性能和散热要求较高的设计中。

IXFH60N50P、STF50N50M2、IRFP4668