类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：6A
　　导通电阻 Rds(on)：50mΩ（典型值）
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TSMT

LTL2F3KSK 具有多个关键特性，使其在功率开关应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高整体效率，尤其在高电流应用中更为明显。其次，该器件支持高达 6A 的连续漏极电流，能够胜任中高功率应用的需求。此外，LTL2F3KSK 的最大漏源电压为 30V，适合用于常见的低压功率系统，如 12V 或 24V 电源架构。其 ±20V 的栅源电压耐受能力确保了在各种驱动条件下的稳定运行，避免栅极氧化层击穿。TSMT 封装提供了优良的散热性能和紧凑的尺寸设计，适合在高密度 PCB 布局中使用。该器件还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定工作，提升了系统的可靠性和寿命。
　　此外，LTL2F3KSK 在制造工艺上采用了 ROHM 的先进沟槽栅技术，进一步优化了开关特性和导通损耗。其快速的开关速度有助于降低开关损耗，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器。同时，该 MOSFET 内部结构设计也增强了其抗过载和短路的能力，适合用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子系统。

LTL2F3KSK 主要应用于各种功率电子设备中，包括但不限于电源管理模块、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、LED 驱动器、逆变器、UPS（不间断电源）以及各类工业自动化控制系统。在汽车电子中，该器件也常用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、车载信息娱乐系统等需要高效功率开关的场合。此外，LTL2F3KSK 也适用于便携式电子产品，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统，提供高效、稳定的功率控制方案。

Si2302DS, FDN340P, AO3400A