时间：2025/5/21 8:43:17
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CDR31BP130BJZSAT 是一款高性能的 MOSFET 芯片，采用 TO-252 封装形式。该芯片广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他功率转换电路中，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低能量损耗并提升系统效率。
该器件基于先进的半导体工艺制造，适用于要求高效能和高可靠性的电子设备。由于其出色的电气特性和稳定性，CDR31BP130BJZSAT 在工业控制、消费类电子产品以及汽车电子领域均有广泛应用。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：130A
导通电阻（典型值）：1.3mΩ
栅极电荷（典型值）：95nC
反向恢复时间：48ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-252
1. 极低的导通电阻，仅为 1.3mΩ，可显著减少功率损耗。
2. 高电流承载能力，连续漏极电流可达 130A，适合大功率应用场景。
3. 快速开关特性，具备较低的反向恢复时间和栅极电荷，有助于提高工作效率。
4. 宽温度范围适应性，能够在 -55℃ 至 +175℃ 的极端环境下稳定运行。
5. 具备优异的热性能和耐用性，适合长期高负载使用。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际规范要求。
1. 开关电源（SMPS）设计中的功率级元件。
2. 电机驱动电路中的功率开关。
3. 工业逆变器和变频器的核心组件。
4. 汽车电子系统中的功率管理模块。
5. 大功率 LED 照明驱动电路。
6. 其他需要高效率和高可靠性功率切换的应用场景。
IRF3205
STP130N06LL
FDP150N06AE
