时间：2025/6/6 12:59:26
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MT15B103K250CT是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效能功率晶体管，适用于高频和高效率电源转换应用。该器件采用增强型GaN FET技术，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统效率并减少热量产生。
这款晶体管主要针对消费电子、工业设备及通信基础设施中的电源管理设计，例如AC-DC适配器、无线充电器、LED驱动器等。
额定电压：650V
连续漏极电流：30A
导通电阻：25mΩ
栅极电荷：75nC
开关速度：>2MHz
封装形式：TO-247-4L
MT15B103K250CT具备非常低的导通电阻和栅极电荷，从而实现了高效的功率传输以及快速的开关能力。其耐压值达到650V，非常适合高压环境下的工作需求。
该器件还支持高达2MHz以上的开关频率，这使得设计人员可以使用更小尺寸的无源元件，进而降低整体系统的体积与成本。
此外，其增强型GaN结构提供了更高的可靠性和稳定性，同时简化了驱动电路的设计过程。这种高性能的组合让MT15B103K250CT成为下一代高效能电源解决方案的理想选择。
AC-DC转换器
DC-DC转换器
无线充电模块
LED照明驱动
电机驱动控制器
电信基站电源
GXT15B103K250CT
NTH15B103K250CT
