类型：雪崩光电二极管（APD）
　　材料：硅（Si）
　　波长响应范围：800 nm - 1100 nm
　　峰值响应波长：约900 nm
　　增益（典型值）：100
　　电容（典型值）：1.5 pF @ 反向电压 100 V
　　响应度（典型值）：0.6 A/W @ 900 nm
　　暗电流：≤ 1 nA @ 温度 25°C
　　上升/下降时间：≤ 1 ns
　　最大工作电压：150 V
　　击穿电压：约 140 V - 150 V
　　封装形式：TO-46 或类似金属/陶瓷封装
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +100°C

CD214A-B150的核心优势在于其高灵敏度和高增益特性，这使其在微弱光信号检测场景中表现出色。其基于硅材料的PN结结构经过特殊设计，在接近击穿电压的反向偏置条件下，光生载流子在强电场作用下引发雪崩倍增效应，从而实现高达100倍甚至更高的内部电流增益。这一机制显著提升了探测器的信噪比，尤其在低光功率条件下优于普通PIN光电二极管。该器件的响应速度极快，上升和下降时间均控制在1纳秒以内，能够满足高速光通信系统（如1.25 Gbps或更高）的时间分辨率需求。此外，其低电容设计（典型值1.5 pF）进一步优化了高频响应性能，减少了信号失真。
　　CD214A-B150在噪声控制方面也进行了优化。通过精确控制掺杂浓度和结区电场分布，有效抑制了暗电流和过剩噪声因子，使得在高增益状态下仍能保持较低的噪声水平。这对于长距离光纤传感和高精度测距系统至关重要。器件的工作电压通常在140V至150V之间，接近击穿电压，因此在实际使用中必须配备稳定的高压偏置电源，并结合温度反馈机制进行动态调节，因为APD的击穿电压具有正温度系数（随温度升高而增加）。为此，许多应用系统会集成热敏电阻和闭环控制电路，以维持增益稳定。
　　该器件的封装采用TO-46或类似金属/陶瓷气密封装，具有优异的环境适应性，能够防潮、抗振动，并保证长期工作的可靠性。其光窗通常配备抗反射涂层，以提高特定波长范围内的光耦合效率。此外，CD214A-B150具备良好的线性动态范围，在一定入射光功率范围内输出电流与输入光强呈良好线性关系，适用于模拟光信号检测。总体而言，CD214A-B150是一款兼顾高增益、低噪声、快速响应和高可靠性的雪崩光电二极管，适用于对探测灵敏度要求极高的专业领域。

CD214A-B150主要应用于需要高灵敏度光电检测的技术领域。在光纤通信系统中，它常被用作接收端的光探测器，特别是在长距离、低光功率传输场景下，如城域网和接入网中的光模块，用于将微弱的光信号高效转换为电信号。在光时域反射仪（OTDR）中，该器件因其高增益和快速响应能力，能够精确捕捉光纤链路中的瑞利散射和菲涅尔反射信号，从而实现故障点定位和损耗分析。
　　在激光雷达（LiDAR）和光电测距系统中，CD214A-B150可用于飞行时间（ToF）测量，通过检测返回的微弱激光脉冲来计算目标距离，广泛应用于地形测绘、自动驾驶感知和工业测距设备。此外，该器件也适用于科研领域的单光子探测系统（在盖革模式下配合淬灭电路使用）、荧光寿命测量和量子通信实验中的弱光检测环节。
　　在安防监控系统中，尤其是主动红外夜视系统，CD214A-B150可用于增强低照度环境下的图像采集能力。在医疗设备中，如光学相干断层扫描（OCT），其高灵敏度有助于提升成像深度和分辨率。由于其工作在近红外波段，与常用激光器（如905 nm激光器）具有良好匹配性，因此在多种主动照明系统中具备广泛适用性。此外，该器件还可用于辐射探测辅助系统、天文观测中的光子计数装置以及高能物理实验中的闪烁光检测等高端应用场景。

S12572-100
　　S11509-101
　　C30737
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　　AD500-8-S1