类型: N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 (Vds): 140V
　　最大漏极电流 (Id): 90A
　　导通电阻 (Rds(on)): 14mΩ
　　最大工作温度: 175°C
　　封装类型: TO-263（D2PAK）

VUB145-14NOXT MOSFET 具有低导通电阻，这意味着它在导通状态下的功率损耗较低，从而提高了效率并减少了散热需求。该器件能够在高温环境下稳定工作，其最大工作温度可达 175°C，这使得它非常适合在恶劣环境中使用。此外，该 MOSFET 还具有快速开关速度，可以减少开关损耗，并且适用于高频操作。
　　在可靠性方面，VUB145-14NOXT 设计有较高的雪崩能量耐受能力，这意味着即使在过电压或瞬态条件下，它也能保持稳定工作而不损坏。这种特性对于需要高可靠性的应用至关重要，例如在汽车电子系统中。同时，其 TO-263 封装形式不仅提供了良好的热性能，还便于安装在印刷电路板上，并且可以通过焊接来实现良好的电气连接。
　　在驱动能力方面，VUB145-14NOXT 具有较低的栅极电荷，这有助于减少驱动电路的负担，并允许更快的开关速度。这对于需要快速响应的应用（如直流-直流转换器和电机控制电路）非常有利。同时，其栅极-源极电压范围较宽，允许使用标准的驱动电路进行控制。此外，该器件的制造工艺采用了先进的沟道设计，以确保在各种工作条件下都能提供稳定的性能。

VUB145-14NOXT MOSFET 主要用于高功率和高效率的应用场景，包括但不限于电源转换器（如 DC-DC 转换器和 AC-DC 电源）、电机驱动器、负载开关、电池管理系统以及各种工业和汽车电子控制系统。在这些应用中，它通常用于开关模式电源（SMPS）、电动车辆（EV）充电系统、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等设备中。

SiR145DP, IRFB4115, FDP145N10A, IPP145N10N3G