型号：SB60168
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压VDS：60V
　　最大连续漏极电流ID：16A（@TC=25℃）
　　脉冲漏极电流IDM：64A
　　栅源阈值电压VGS(th)：2.0V ~ 3.0V
　　导通电阻RDS(on)：16mΩ（@VGS=10V, ID=8A）
　　导通电阻RDS(on)：20mΩ（@VGS=4.5V, ID=8A）
　　输入电容Ciss：1950pF @ VDS=30V
　　输出电容Coss：470pF @ VDS=30V
　　反向恢复时间trr：28ns
　　功耗PD：2.5W（TA=25℃）
　　工作结温范围TJ：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SOP-8

SB60168采用先进的沟道设计与沟槽栅技术，实现了极低的导通电阻RDS(on)，这显著减少了在导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。其在VGS=10V时典型值仅为16mΩ，而在较低驱动电压4.5V下也能保持20mΩ的低阻水平，使其适用于电池供电设备或对能效要求较高的应用。该器件具有快速的开关响应能力，得益于较小的栅极电荷Qg（典型值约20nC）和输入电容，能够在高频开关电路中有效降低开关损耗，提升电源转换效率。这对于现代高频率DC-DC变换器尤为重要。
　　SB60168具备优良的热稳定性和可靠性，其芯片结构经过优化，确保在高温环境下仍能维持稳定的电气性能。器件内部采用铜夹连接工艺或增强型引线框架设计，提升了散热效率，使得即使在大电流负载条件下也能有效控制温升。这种设计不仅延长了器件寿命，也增强了系统在恶劣环境下的运行稳定性。同时，该MOSFET具有较强的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中吸收一定的能量，避免因电压尖峰导致器件损坏。
　　该器件支持逻辑电平驱动，可直接由3.3V或5V微控制器输出引脚驱动，无需额外的电平转换电路，简化了驱动设计并降低了系统成本。SOP-8封装不仅节省空间，而且与主流贴片工艺兼容，适合自动化生产。此外，封装内部可能集成有源极共源电感优化设计，进一步提升了开关过程中的电流分配均匀性，减少局部热点形成风险。总体而言，SB60168是一款集高性能、高可靠性与易用性于一体的功率MOSFET，特别适合用于同步整流、H桥驱动、LED恒流驱动以及各类高效开关电源模块中。

SB60168广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于同步整流型DC-DC降压或升压转换器，其中作为主开关管或整流管使用，利用其低导通电阻特性来提高转换效率；在便携式设备如笔记本电脑、移动电源和智能终端的电源管理系统中，用于电池充放电控制和负载开关；在电机驱动电路中，作为H桥结构中的功率开关元件，实现直流电机或步进电机的正反转与调速控制；在LED照明驱动电源中，作为恒流源的调节开关，确保LED稳定发光；还可用于各类开关电源（SMPS）的初级或次级侧开关，特别是在反激式、正激式拓扑中作为功率开关器件；此外，在UPS不间断电源、逆变器、充电器等工业与消费类电源产品中也有广泛应用。由于其良好的高频响应特性和热稳定性，SB60168也适用于高密度电源模块和多相供电系统的设计中。

SI4410DY, IRF7473, AON6260, FDS6680A