封装尺寸：2012 (公制)/0805 (英制)
　　电容值：10μF
　　额定电压：6.3V DC
　　电容容差：±20%
　　温度特性：X5R（-55°C 至 +85°C，ΔC/C ≤ ±15%）或 X7R（-55°C 至 +125°C，ΔC/C ≤ ±15%）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　介质材料：EIA Class II 钛酸钡基陶瓷
　　直流偏压特性：随电压升高电容值下降明显，典型6.3V偏压下可保持约60%-70%标称电容
　　绝缘电阻：≥400MΩ 或 ≥1000Ω·F（取较大值）
　　耐湿性：符合IEC 60068-2-30标准
　　老化率：≤2.5%每十年（室温下）
　　ESR（等效串联电阻）：低，具体值依赖于频率与测试条件
　　结构类型：多层片式陶瓷电容器
　　端电极材料：三层电极（Ni/Sn镀层），兼容无铅焊接
　　失效概率：符合ISO/TS 16949质量管理体系要求

CB2012T100M采用先进的叠层陶瓷工艺，在2012小型化封装内实现了高达10μF的电容容量，这得益于高介电常数的Class II陶瓷介质（如X5R/X7R）以及精细的内部电极印刷技术。其内部由数百层交替排列的镍内电极与陶瓷介质构成，每一层厚度可控制在微米级别，从而在有限体积中实现大容量存储能力。这种结构不仅提升了单位体积的电容密度，还显著降低了等效串联电感（ESL），使其在中高频范围内仍能保持良好滤波性能。该器件具有较低的等效串联电阻（ESR），有利于提高电源系统的去耦效率，减少热损耗，尤其适用于开关电源输出端的平滑滤波。
　　在电气特性方面，CB2012T100M虽受直流偏压影响较明显——即施加电压后实际可用电容会有所下降，但在6.3V额定电压下仍能维持相对稳定的性能表现。例如，在3.3V或5V供电系统中用作主控芯片的去耦电容时，即使考虑偏压效应，其有效电容仍远高于传统小容量MLCC组合，减少了并联多个电容的需求。此外，其温度稳定性满足X5R/X7R标准，在-55°C至+85°C或+125°C的工作范围内电容变化不超过±15%，适合宽温环境下的稳定运行。
　　机械与可靠性方面，该电容器采用三层端电极结构（Cu/Ni/Sn），具备优良的抗热冲击和抗弯曲性能，能够有效防止因PCB弯折或热循环引起的裂纹失效。产品经过严格的湿度敏感等级（MSL1）测试，可长期暴露于空气中而不影响焊接质量。同时，它通过了包括高温高湿偏压（H3TRB）、温度循环（TC）、耐焊接热等多项可靠性试验，确保在复杂工况下的长期稳定性。由于符合RoHS和REACH环保指令，CB2012T100M广泛应用于出口型电子产品中。

CB2012T100M因其高容量、小尺寸和良好的高频特性，被广泛应用于各类需要高效去耦与滤波功能的电子设备中。在移动通信设备中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该电容器常用于处理器、内存模块和射频前端芯片的电源引脚附近，作为去耦电容以抑制瞬态电流波动和噪声干扰，保障核心芯片的稳定运行。在便携式消费类电子产品中，如蓝牙耳机、智能手表和TWS设备，其紧凑的2012封装非常适合高密度布局需求，帮助缩小整机体积。
　　在电源管理系统中，CB2012T100M可用于DC-DC转换器的输入和输出滤波电路中，有效降低纹波电压，提升电源效率。特别是在低电压大电流的应用场景下（如1.8V或3.3V供电系统），其较大的电容值可以提供充足的储能，应对负载突变带来的电压跌落问题。此外，在工业控制设备中，如PLC控制器、传感器模块和人机界面装置中，该器件用于稳定电源轨，增强抗干扰能力，提高系统可靠性。
　　在汽车电子领域，虽然该型号未明确标注为车规级，但部分批次若通过AEC-Q200认证，则可用于车载信息娱乐系统、仪表盘模块、ADAS辅助系统中的非关键电源路径。此外，在家用电器（如智能电视、路由器、智能家居网关）和物联网终端设备中，CB2012T100M也发挥着重要作用，用于去除电源噪声、稳定参考电压以及改善信号完整性。总之，凡是需要在有限空间内实现较大电容值的场合，CB2012T100M都是一个极具性价比的选择。

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　　 "CL21A106MQYNNNE",
　　 "GRM21BR6YA106ME39L",
　　 "C2012X5R0J106M",
　　 "EMK212BJ106MG-T",
　　 "LCX212R6JC106M"
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