型号：SIR72104FOOB1
　　制造商：Vishay Siliconix
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)@25°C：21A
　　脉冲漏极电流(IDM)：80A
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=10V：4.6mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=4.5V：6.2mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=2.5V：9.5mΩ
　　栅极电荷(Qg)@10V：10nC
　　输入电容(Ciss)：920pF
　　开启延迟时间(td(on))：8ns
　　关断延迟时间(td(off))：18ns
　　上升时间(tr)：11ns
　　下降时间(tf)：10ns
　　工作结温范围：-55°C至+150°C
　　封装/外壳：PowerPAK SO-8L（双暴露焊盘）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　通道数：单通道

SIR72104FOOB1采用Vishay先进的TrenchFET技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其在VGS=10V时RDS(on)仅为4.6mΩ，在VGS=4.5V时仍可保持6.2mΩ的低阻值，这使得该器件非常适合用于低压大电流的应用场合，如同步降压转换器或电池供电系统中作为主开关或同步整流管。由于其低RDS(on)，在传导过程中产生的功率损耗显著减少，有助于提升系统效率并降低散热需求。
　　该器件的栅极电荷Qg典型值为10nC（@VGS=10V），这一较低的栅极驱动需求减少了驱动电路的能量消耗和复杂性，特别适用于高频开关电源设计。同时，其输入电容Ciss为920pF，配合快速的开关时间参数——开启延迟8ns、上升时间11ns、关断延迟18ns和下降时间10ns，确保了出色的动态响应能力，能够在MHz级别的开关频率下高效运行。
　　SIR72104FOOB1采用了PowerPAK SO-8L封装，具有双暴露焊盘结构，极大增强了从封装底部到PCB的热传导能力，提升了散热效率。这种设计允许器件在紧凑的空间内处理较高的功耗，适用于空间受限但对热性能要求高的应用场景，如便携式设备、服务器电源模块或车载信息娱乐系统。
　　此外，该MOSFET具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下承受一定的能量冲击，提高了系统的鲁棒性和长期可靠性。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，支持极端环境下的稳定运行。通过AEC-Q101认证意味着其在汽车级质量与可靠性方面得到了验证，可用于发动机控制单元、电动助力转向（EPS）、车身电子及高级驾驶辅助系统（ADAS）中的电源管理部分。

SIR72104FOOB1广泛应用于多种高性能电源管理系统中。在DC-DC转换器领域，特别是同步降压拓扑结构中，该器件常被用作高端开关或低端同步整流器，凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著提升转换效率并降低温升。在笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式电子设备的电源管理单元（PMU）中，它可用于电池充放电控制、电压调节模块（VRM）或多相供电系统，以实现高能效和小型化设计。
　　在服务器和通信基础设施中，该MOSFET适用于POL（Point-of-Load）转换器，为CPU、GPU或ASIC提供稳定的低压大电流供电。其高频响应能力和低损耗特性有助于满足现代数据中心对高功率密度和低能耗的需求。
　　在工业自动化和电机控制系统中，SIR72104FOOB1可用于H桥驱动电路或BLDC电机的相位开关元件，实现精确的速度和扭矩控制。同时，它也可作为电子负载开关或热插拔控制器中的主控开关，提供快速通断和过流保护功能。
　　得益于其通过AEC-Q101认证，该器件在汽车电子中也有广泛应用，包括车载充电机（OBC）、DC-DC变换器、照明系统、电池管理系统（BMS）以及各类车载信息娱乐设备的电源模块。此外，在消费类电源适配器、LED驱动电源和无人机动力系统中，也能发挥其高效、可靠的优势。

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　　 "SiR721DP",
　　 "IRLHS6210",
　　 "SQJ978EP",
　　 "FDMS7680",
　　 "AOZ5242AI"
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