LESD8L5.0N3T5G 是一款由安森美半导体(onsemi)推出的表面贴装型(SMD)瞬态电压抑制二极管(TVS),主要用于保护电子电路中的敏感元件免受静电放电(ESD)、浪涌电压和瞬态电压的损害。该器件具有低钳位电压、响应速度快和高可靠性等优点,适用于通信设备、消费电子、工业控制和汽车电子等多个领域。
类型:瞬态电压抑制器(TVS)
封装形式:SOD-882
工作电压:5V
最大钳位电压:12.8V(在IEC 61000-4-2测试条件下)
最大峰值脉冲电流(IPP):8A
最大反向工作电压:5V
最大反向漏电流:100nA
响应时间:小于1纳秒
功率耗散:300W(短时间脉冲)
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
存储温度范围:-55℃ 至 +150℃
LESD8L5.0N3T5G 具有出色的电气保护性能和稳定性。其主要特性包括:
1. 低钳位电压:该器件在受到高能量瞬态电压冲击时,能够迅速将电压钳制在安全范围内,保护下游电路不受损坏。这种低钳位电压特性使其特别适合用于保护高灵敏度的半导体器件。
2. 高可靠性:LESD8L5.0N3T5G 符合AEC-Q101汽车级标准,能够在恶劣的环境条件下稳定工作,适用于汽车电子系统等对可靠性要求较高的应用。
3. 小型化封装:采用SOD-882封装形式,体积小巧,适合用于空间受限的PCB设计,并且支持表面贴装工艺,提高了生产效率。
4. 快速响应时间:其响应时间低于1纳秒,能够有效应对快速上升的瞬态电压,如静电放电(ESD)和雷击浪涌。
5. 多重保护能力:该TVS器件不仅能够吸收静电放电能量,还能够应对较长时间的浪涌电流,具有较强的多级保护能力。
6. 低漏电流:在正常工作电压下,反向漏电流极低(最大100nA),不会对电路的正常运行造成影响。
7. 符合国际标准:LESD8L5.0N3T5G 满足IEC 61000-4-2(静电放电抗扰度)和IEC 61000-4-5(浪涌抗扰度)等国际标准的要求,适用于需要符合EMC/EMI规范的设计。
LESD8L5.0N3T5G 主要用于以下应用场景:
1. 便携式电子产品:如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等,用于保护USB接口、HDMI接口、音频接口等易受静电干扰的部位。
2. 通信设备:如路由器、交换机、光模块等,用于保护以太网端口、光纤接口等关键通信链路。
3. 工业控制系统:用于PLC、传感器、工业总线接口等,防止因静电或浪涌导致的系统误动作或损坏。
4. 汽车电子系统:如车载娱乐系统、仪表盘控制模块、车载充电接口等,满足汽车电子对高可靠性和宽温度范围的要求。
5. 家用电器:如洗衣机、空调、智能电视等,用于保护微处理器、显示屏接口、电源输入端口等部分。
6. 医疗设备:用于便携式监护仪、诊断设备等对安全性和稳定性要求较高的医疗电子设备。
7. 物联网(IoT)设备:如智能门锁、智能摄像头、无线传感器节点等,提供对敏感信号线和电源线的保护。
PESD5V0S1BA, ESDA8L5.0_1, SMAJ5.0A