类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：140A
　　导通电阻(Rds(on))：最大4.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　功率耗散(Pd)：250W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247
　　栅极电荷(Qg)：约160nC
　　输入电容(Ciss)：约2800pF
　　输出电容(Coss)：约450pF
　　反向恢复时间(trr)：不适用（非二极管器件）

HD614140PA65具备多个关键特性，使其在高功率应用中表现优异。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率，这在高电流应用中尤为重要。其次，该MOSFET的高耐压能力（60V）使其适用于多种中高压电源系统。此外，其140A的连续漏极电流能力使其能够承受高负载，适用于需要大功率输出的应用场景。
　　HD614140PA65采用了优化的封装设计，使得其具有良好的热传导性能，有助于在高功率工作条件下保持稳定的温度，防止过热失效。该器件还具有快速开关特性，能够减少开关损耗并提高整体系统效率。栅极电荷（Qg）较低，使得驱动电路的设计更加简便，同时提高了开关速度。此外，该MOSFET具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在极端工作条件下的可靠性。
　　该器件还具备良好的短路耐受能力，确保在突发故障情况下仍能保持一定程度的工作稳定性。同时，HD614140PA65的参数在不同工作温度下保持较高的稳定性，适合在恶劣环境条件下使用。

HD614140PA65适用于多种高功率电子系统，广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器、电源管理系统、电机驱动器、电池充电器、UPS（不间断电源）系统、光伏逆变器以及各种工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高电流能力和低导通电阻，该MOSFET特别适合用于高频开关电源设计，能够有效提高能量转换效率并减少散热需求。
　　此外，该MOSFET还可用于电动汽车的车载充电系统、电池管理系统以及电动工具中的功率控制电路。其优异的热性能和可靠性也使其成为高功率音频放大器和专业级电源供应器的理想选择。在消费类电子产品中，如高性能计算机的电源模块和服务器电源系统中，HD614140PA65也能发挥重要作用。

SiHF140N60E、IRFP4468PBF、IXFH140N60P、STP140N6F7、FDMS7618