工作电压：5.0V
　　钳位电压：13.3V（最大值）
　　反向击穿电压：6.3V
　　漏电流：0.1μA（最大值）
　　电容（@1MHz）：0.35pF（典型值）
　　响应时间：<1ns
　　封装形式：TDFN-6
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

S-LESD11S-L5.0T5G 是一款高性能的双向 ESD 保护器件，专为满足高速数据线路保护的需求而设计。该器件的核心特性之一是其极低的寄生电容，典型值仅为 0.35pF，这使得它在高速信号传输中几乎不会引起信号完整性问题。此外，其响应时间小于 1ns，确保在发生静电放电事件时能够迅速做出反应，将电压钳制在安全范围内，从而保护下游电路不受损坏。
　　该器件采用了双向保护结构，能够在正负两个方向上有效吸收 ESD 脉冲，适用于各种差分信号线路的保护。其反向击穿电压为 6.3V，工作电压为 5.0V，漏电流最大仅为 0.1μA，这使得它在静态条件下功耗极低，不会对系统正常运行造成影响。钳位电压的最大值为 13.3V，保证在 ESD 事件中被保护电路的电压不会超过该阈值，从而有效防止设备损坏。
　　为了适应现代电子产品对小型化和高集成度的需求，S-LESD11S-L5.0T5G 采用 TDFN-6 封装，体积小巧，便于在空间受限的 PCB 设计中布局。该封装还具有良好的热性能，能够在高能量 ESD 事件中有效地将热量散发出去，确保器件的长期可靠性。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于各种严苛的工作环境。无论是工业级设备还是消费类电子产品，S-LESD11S-L5.0T5G 都能提供稳定可靠的 ESD 保护性能。

S-LESD11S-L5.0T5G 主要用于需要高速信号线路保护的场合，常见应用包括但不限于 USB 3.0、HDMI、DisplayPort、Thunderbolt 等接口的静电放电保护。该器件的低电容特性使其特别适合用于传输速率较高的数字信号线路，如以太网、SATA、PCIe 等。此外，它也适用于便携式电子设备（如智能手机、平板电脑）中的高速数据接口保护，确保设备在频繁插拔和复杂电磁环境中仍能稳定工作。由于其双向保护结构，该器件也常用于保护差分信号线路，如 RS485、CAN 总线等工业通信接口。在汽车电子系统中，S-LESD11S-L5.0T5G 可用于车载娱乐系统、导航设备、摄像头模块等高速信号线路的 ESD 防护。

PESD1CAN, TPD4E001B04, ESD9C5.0ST5G