电容值：1pF
　　容差：±0.5pF
　　额定电压：50V
　　温度特性：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装尺寸：0402（1.0mm x 0.5mm）
　　介质材料：陶瓷
　　电极结构：Ni-barrier
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　老化率：0%/decade
　　绝缘电阻：≥100GΩ·μF
　　等效串联电阻（ESR）：典型值<0.1Ω
　　自谐振频率（SRF）：约6GHz

CB04YTYN121采用C0G（也称NP0）温度补偿型陶瓷介质，具有极其稳定的电气性能，其电容值不随温度、电压或时间发生显著变化。C0G材质的温度系数为0±30ppm/°C，在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）电容变化不超过±0.5pF，确保了在精密模拟电路、振荡器电路和高频匹配网络中的高度可靠性。
　　该器件的电容标称值为1pF，容差控制在±0.5pF以内，适用于对电容精度要求较高的应用场景，例如射频滤波器、天线调谐电路、LC谐振回路以及高速数字信号的阻抗匹配设计。由于其超小容量且高稳定性的特点，能够有效消除高频寄生振荡并提升系统信噪比。
　　额定电压为50V DC，使其能够在中高压信号线路中安全运行，同时保持良好的直流偏压特性——即电容值不会因施加电压而下降，这与X7R、X5R等高介电常数材料有本质区别。因此，CB04YTYN121特别适合用作高频旁路电容，在射频放大器输出端或时钟信号路径中提供稳定的交流接地通路。
　　其0402（1.0×0.5mm）小型封装不仅节省PCB空间，还降低了寄生电感效应，有助于提升高频性能。Ni-barrier端电极设计增强了抗硫化能力，防止因空气中硫化物引起的电极腐蚀，从而提高产品长期使用的可靠性，尤其适用于工业控制、汽车电子和户外通信设备等领域。
　　此外，该电容器具备低等效串联电阻（ESR）和低损耗因子（tanδ < 0.1%），减少了高频下的能量损耗和发热现象，提升了整体能效。自谐振频率高达约6GHz，意味着在GHz级别的无线通信频段（如Wi-Fi、蓝牙、5G前端模块）仍能保持有效的去耦能力。

CB04YTYN121主要用于需要高稳定性和高频性能的电子电路中。典型应用包括射频（RF）前端模块中的阻抗匹配网络，用于调整天线输入阻抗以实现最大功率传输；在无线通信设备如智能手机、物联网模块和Wi-Fi路由器中，作为高频滤波电容去除杂散噪声。
　　该器件也广泛应用于振荡器电路（如晶体振荡器、SAW滤波器周边电路）中，用于频率微调和相位补偿，确保系统时钟信号的稳定性。在精密模拟电路如运算放大器反馈回路、ADC/DAC参考电压滤波中，CB04YTYN121凭借其零温度漂移特性可避免信号失真。
　　此外，在高速数字系统中，它可用于局部电源去耦，特别是在GPU、FPGA或ASIC的I/O供电引脚附近，滤除高频开关噪声，保障信号完整性。由于其抗硫化设计，也可用于汽车电子环境下的ECU单元、传感器接口电路以及车载信息娱乐系统中。
　　其他应用还包括测试测量仪器、医疗电子设备、航空航天电子模块以及工业自动化控制系统，凡是要求长期稳定性、高可靠性和高频响应的场合均可选用此型号。

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