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SI4825DY 发布时间 时间:2025/4/2 11:16:00 查看 阅读:4

SI4825DY是Vishay公司生产的N沟道增强型MOSFET,采用PowerPAK SO-8封装形式。该器件主要应用于需要高效率开关和低导通电阻的场景,例如DC-DC转换器、负载切换、电机控制和其他功率管理应用。它具有极低的导通电阻和良好的开关性能,能够显著降低功耗并提升系统效率。

参数

最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±12V
  连续漏极电流(Id):26A
  导通电阻(Rds(on)):1.3mΩ(在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):2.7W
  结温范围(Tj):-55℃至+175℃
  栅极电荷(Qg):25nC
  反向恢复时间(trr):80ns

特性

SI4825DY具备非常低的导通电阻,这使得其在高电流应用场景下表现出优异的效率。此外,该器件还具有快速开关能力,有助于减少开关损耗。
  它的高雪崩能力和坚固的设计确保了在恶劣环境下的可靠性。采用PowerPAK SO-8封装,不仅提供了卓越的散热性能,还简化了PCB布局设计。同时,该器件符合RoHS标准,环保且适合现代电子设备的需求。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的同步整流
  2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流器
  3. 电池管理系统中的负载切换
  4. 电机驱动和控制
  5. 便携式电子设备的功率管理
  6. 工业自动化中的功率级控制

替代型号

SI4839DY, SI4827DY, IRF7833

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SI4825DY参数

  • 制造商Vishay
  • 晶体管极性P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压30 V
  • 闸/源击穿电压+/- 25 V
  • 漏极连续电流8.1 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)14 mOhms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SO-8
  • 下降时间13 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散1.5 W
  • 上升时间13 ns
  • 工厂包装数量100
  • 商标名TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间97 ns