时间：2025/9/26 12:53:45
阅读：8
RP110N141D-TR-FE是一款由Richtek（立锜科技）推出的高性能同步降压型DC-DC转换器，专为高效率、高集成度的电源管理应用设计。该芯片采用电流模式控制架构，具备宽输入电压范围，适用于多种电池供电系统及工业、消费类电子设备中的板级电源转换需求。RP110N141D-TR-FE集成了上管和下管功率MOSFET，显著减少了外部元件数量，有助于缩小整体解决方案尺寸并提升系统可靠性。其封装形式为紧凑型DFN（Dual Flat No-leads）封装，适合对空间敏感的应用场景。
该器件支持高达3A的持续输出电流，能够在输入电压范围为4.5V至18V的条件下稳定工作，典型开关频率为600kHz，允许使用小型电感和陶瓷电容，从而优化整体电源布局与成本。此外，芯片内置多种保护机制，包括过流保护（OCP）、过温保护（OTP）以及输出短路保护，确保在异常工况下仍能安全运行。
RP110N141D-TR-FE还具备良好的动态响应能力，能够快速应对负载瞬变，维持输出电压稳定，适用于为DSP、FPGA、微处理器及其他数字负载提供核心供电。通过优化环路补偿设计，该芯片在全负载范围内均可实现优异的电压调节精度与低输出纹波性能。由于其高集成度和高效率特性，广泛应用于网络通信设备、工业自动化控制系统、便携式仪器以及智能家居设备等领域。
型号：RP110N141D-TR-FE
品牌：Richtek（立锜科技）
类型：同步降压DC-DC转换器
输入电压范围：4.5V ~ 18V
输出电压范围：0.8V ~ VIN
最大输出电流：3A
开关频率：600kHz
工作温度范围：-40°C ~ +125°C
静态电流：典型值35μA
关断电流：≤1μA
反馈参考电压：0.8V ±1%
占空比范围：0% ~ 100%
封装类型：DFN-10L（3mm x 3mm）
RP110N141D-TR-FE采用峰值电流模式控制架构，提供快速的瞬态响应能力和稳定的环路性能。该控制方式通过实时监测电感电流来实现逐周期限流保护，增强了系统的可靠性和抗干扰能力。芯片内部集成了经过优化的功率MOSFET，上管导通电阻典型值为80mΩ，下管为50mΩ，有效降低导通损耗，提升整体转换效率，在满载条件下可达到95%以上的峰值效率。
该器件支持强制PWM模式和自动PFM/PWM模式切换两种工作模式，用户可通过MODE引脚选择。在轻载情况下，自动进入PFM（脉冲频率调制）模式以显著降低静态功耗，延长电池使用寿命；当需要恒定频率噪声控制时，可配置为强制PWM模式，适用于噪声敏感型应用。此外，芯片具备软启动功能，通过内部设定的软启动时间限制启动时的浪涌电流，防止输入电压跌落或损坏外部元件。
保护机制方面，RP110N141D-TR-FE集成了全面的安全特性，包括逐周期过流保护、输出短路保护、输入欠压锁定（UVLO）以及热关断保护（OTP）。当芯片结温超过安全阈值时，会自动切断输出并进入打嗝模式，待温度下降后恢复正常运行，避免永久性损坏。
得益于其紧凑的DFN-10L封装和极少的外围元件需求（通常仅需输入/输出电容、电感和少量电阻），该器件非常适合高密度PCB布局。同时，DFN封装具有优良的散热性能，可通过PCB焊盘将热量有效传导至系统地层，进一步提升功率处理能力。芯片符合RoHS环保标准，并通过了IEC62368等安规认证，适用于全球范围内的终端产品设计。
RP110N141D-TR-FE广泛用于需要高效、小体积电源解决方案的各类电子产品中。在工业控制领域，常被用作PLC模块、传感器节点、HMI人机界面设备的核心电源，为其FPGA或MCU提供稳定可靠的1.2V、1.8V或3.3V电压轨。
在网络通信设备中，如路由器、交换机和光模块，该芯片可用于PoE供电后的二次稳压，满足高速数据传输芯片对低噪声、高稳定性的要求。其宽输入电压范围也使其适用于12V直流母线系统的本地降压转换。
在消费类电子产品中，包括智能音箱、电视盒子、监控摄像头等，RP110N141D-TR-FE凭借其高效率和低静态电流表现，成为电池供电或待机电源设计的理想选择，尤其适合长时间运行且注重能效的设备。
此外，在医疗便携设备、测试测量仪器以及无人机飞控系统中，该器件也能提供精准的电压调节和出色的负载调整率，保障精密电路的正常工作。由于其具备良好的EMI性能和稳定的输出特性，还可用于为ADC、DAC、时钟发生器等模拟前端电路供电，减少电源噪声对信号链的影响。
RT7291A
MP2315
SY8303
AP63203
TPS54331
