时间：2025/6/26 20:48:20
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V3R6B0201HQC250NAT 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于功率转换和电机驱动等场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够有效降低功耗并提升系统效率。
型号：V3R6B0201HQC250NAT
类型：MOSFET
封装：TO-247-3
Vds（漏源极电压）：600V
Rds(on)（导通电阻）：250mΩ
Id（连续漏极电流）：15A
Ptot（总功率耗散）：195W
fsw（最大开关频率）：100kHz
Qg（栅极电荷）：45nC
Ciss（输入电容）：2050pF
Coss（输出电容）：130pF
结温范围：-55℃ 至 150℃
V3R6B0201HQC250NAT 具备以下显著特性：
1. 超低导通电阻（250mΩ），有助于减少传导损耗，特别适合于中高电压应用。
2. 高耐压能力（600V），确保在高压环境下稳定运行。
3. 快速开关特性，可支持高达 100kHz 的开关频率，满足高频电源转换需求。
4. 出色的热性能设计，使得器件能够在高温环境下持续工作。
5. 封装形式为 TO-247-3，提供良好的散热能力和机械强度。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
这些特点使其成为各种工业级和消费级应用的理想选择。
该器件适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 逆变器
4. 电机驱动控制
5. UPS 系统
6. 工业自动化设备
7. 家电中的功率管理模块
其高可靠性与高效性能，使它成为工程师设计高能效系统时的重要选择。
V3R6B0201HQC250NAP, IRF650N, FQA28P60B
