时间：2025/5/12 20:28:11
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GA0805H393MXABR31G 是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET功率晶体管。该型号采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适合用于各种高效能电源转换和电机驱动应用。此器件属于U-MOS VIII-H系列，专为降低功耗和提高系统效率而设计。
该型号采用TO-263-3（D2PAK）封装形式，具有较大的散热面积，能够满足高功率应用场景下的热管理需求。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：37A
导通电阻：1.6mΩ
栅极电荷：45nC
输入电容：1080pF
工作温度范围：-55℃ to 175℃
GA0805H393MXABR31G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了在高电流负载下也能保持较低的功耗。
2. 高速开关性能使其非常适合高频开关电源和DC-DC转换器等应用。
3. 优化的热性能和大尺寸封装确保了其能够在高温环境下稳定运行。
4. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
5. 内部结构设计坚固耐用，可承受高瞬态电流冲击。
这些特点使得该器件在工业设备、汽车电子和消费类电子产品中得到了广泛应用。
GA0805H393MXABR31G 的典型应用包括：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器中的功率开关，用于提升转换效率。
3. 电机驱动电路中的功率级元件，支持高效控制。
4. 各类负载开关和保护电路，如过流保护、短路保护等。
5. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制元件。
这款 MOSFET 在需要高效率和高可靠性的地方表现出色，适用于从家用电器到工业设备的各种场景。
GA0805H393MAE, GA0805H393MTR, IRF3205, FDP056N04L
