时间：2025/8/24 14:54:26
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FCH20N60N 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制以及各种高功率电子系统中。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能，适用于需要高效率和可靠性的应用场合。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：20A
最大漏源电压（VDS）：600V
最大栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为 0.22Ω（在 VGS = 10V）
功耗（PD）：160W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220、D2PAK（取决于具体子型号）
FCH20N60N 的核心优势在于其卓越的导通性能和耐用性。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。器件具备高击穿电压能力（600V），能够承受高压应力，适用于多种电源转换拓扑结构，如反激式、正激式和 LLC 谐振转换器。此外，该 MOSFET 采用优化的封装设计，具备良好的散热能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。
在可靠性方面，FCH20N60N 设计有内置的雪崩能量保护功能，能够在瞬态过压情况下提供更高的耐受性，从而延长器件寿命。其栅极氧化层也经过强化设计，确保在高栅压下仍能稳定工作。同时，该器件具有快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高系统响应速度。由于其优异的性能表现和稳定的电气特性，FCH20N60N 被广泛应用于工业电源、照明驱动、家电控制以及新能源系统中。
FCH20N60N 主要用于以下应用领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器；
2. 高压 DC-DC 转换器，如 Boost、Buck 和反激式转换器；
3. 电机驱动和控制电路；
4. LED 照明驱动电源；
5. 家用电器（如空调、洗衣机、微波炉）的功率控制模块；
6. 工业自动化与控制系统中的功率开关；
7. 太阳能逆变器和储能系统的功率级设计。
STP20N60M5、IRFGB40N60HD、FQP20N60C、TK20A60W、2SK2142
