时间：2025/8/28 9:38:24
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LH28F800BVE-TTL90 是由Renesas（原Intersil）生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM），属于异步SRAM类别。该器件具有高速访问时间和低功耗的特点，广泛应用于需要快速数据存取的嵌入式系统、工业控制设备、通信模块以及网络设备等领域。该SRAM采用标准并行接口，兼容TTL电平，便于与多种微处理器和控制器连接。
容量：8Mbit（512K x 16）
访问时间：90ns
电源电压：3.3V
封装形式：TSOP
引脚数量：54
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
接口类型：异步并行接口
数据总线宽度：16位
功耗（典型值）：待机模式下低于10mA
LH28F800BVE-TTL90 的主要特性包括其高速访问能力和低功耗设计，适用于高性能嵌入式系统的数据缓存和临时存储需求。该SRAM具备宽工作温度范围，可在工业级环境下稳定运行，适合工业控制、通信设备等严苛应用场景。其54引脚TSOP封装设计有助于节省PCB空间，同时便于SMT（表面贴装技术）装配。
该器件的TTL电平兼容性使其能够无缝连接多种主控设备，如DSP、微控制器和FPGA，简化系统设计。此外，其异步接口支持标准的读写时序，降低了与主控处理器之间的接口复杂度。
在功耗方面，LH28F800BVE-TTL90 支持低功耗待机模式，有助于延长电池供电设备的续航时间。其高可靠性和稳定性也使其成为需要长时间连续运行的工业和通信应用的理想选择。
LH28F800BVE-TTL90 主要用于嵌入式控制系统、工业自动化设备、通信模块（如路由器和交换机）、数据采集系统、测试与测量仪器以及医疗电子设备。它适用于需要快速、稳定和非易失性数据存储的场合，特别是在对数据存取速度要求较高的系统中。例如，在网络设备中，它可以作为帧缓存或高速数据队列使用；在图像处理系统中，可用于临时存储图像数据；在控制设备中，可用于存储运行时变量或程序状态信息。
IS61LV25616A-8T, CY62148EVLL-85ZSXI, IDT71V416SA90PFG
